我国半导体制造核心技术突破，仅次于光刻的重要环节打破国外垄断

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财联社 9 月 11 日讯，据国家电力投资集团有限公司（以下简称 " 国家电投 "）9 月 10 日消息，近日，国家电投所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称 " 核力创芯 "）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。

国家电投表示，这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产化奠定了基础。

▲工程师进行晶圆离子注入生产

据国家电投介绍，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用，该领網域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是 600V 以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破，打破了国外垄断。

核力创芯在遭遇外国关键技术及装备封锁的不利条件下，坚持自力更生，自主创新，打造新质生产力，在不到三年的时间里，突破多项关键技术壁垒，实现了 100% 自主技术和 100% 装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领網域交叉学科研发平台。首批交付的芯片产品经历了累计近万小时的工艺及可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得用户高度评价。