传三星将放弃1.4nm制程

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3 月 17 日消息，据外媒 PhoneArena 近期的报导称，三星晶圆代工在尖端制程的良率近年来持续面临良率问题的挑战，由于第二代 3nm GAA 制程良率低，也直接导致了 Galaxy S25 系列旗舰机全面转向了高通骁龙 8 至尊版（Snapdragon 8 Elite）芯片。虽然近期有传闻称三星 2nm 制程良率有所提升，但实际测试良率仍仅有 30%。此外，传闻三星晶圆代工正考虑放弃其 1.4nm 制程的计划。

虽然三星早在 2023 年 6 月底就宣布成功量产了 3nm GAA 制程，但是截至目前仍未获得大户的采用。即便是原定于采用自家第二代 3nm GAA 制程的 Exynos 2500 处理器，也因为良率问题被大幅推迟，使得三星不得不调整其 Galaxy S25 系列旗舰智能手机的策略，最终决定在所有型号中都采用高通 Snapdragon 8 Elite 芯片。而且，最初的计划是仅在美国、加拿大和中国市场的 Galaxy S25 Ultra 以及 Galaxy S25 和 Galaxy S25+ 机型上使用高通的系统单晶片（SoC），其余型号则搭载自家的 Exynos 2500 芯片。

近期的传闻显示，三星计划在今年量产的 2nm 制程良率已经有了较大的改善，基于该制程的 Exynos 2600 处理器的将于下半年量产，并将由 2026 年初推出的 Galaxy S26 系列旗舰机搭载。但最新的消息出指出，三星 2nm 制程节点的测试良率仍然不佳，仅有 30%。相比之下，传闻台积电的 2nm 制程的测试良率已经达到了 60% 以上。英特尔近期也表示，其 Intel 18A 制程已经准备就绪，并对其良率表示满意。

在新一代制程工艺节点的研发中，台积电是 A16、英特尔是 14A，三星则计划直接跳过 18 埃米（1.8nm）和 16 埃米（1.6nm）来研发 SF1.4 制程（1.4nm）。显然在目前 3nm 及 2nm 良率都还很低的情况下，三星希望提前通过研发 1.4nm 制程来实现对于台积电和英特尔的追赶难度很高。而这或许也是导致三星需要重新考量是否提前将资源放到未来的 SF1.4 制程上的关键原因，毕竟之前的 3nm、2nm 的研发三星都是采用了类似的策略，但是都没能获得成功。