台积电2nm研发顺利，报价直逼2.5万美元

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台积电副总经理张晓强日前透露，2nm 制程工艺 N2 研发顺利，目前 256Mb SRAM 芯片良品率已经可以达到 50%，研发目标已经完成 80% 以上，如果后续研发顺利将会能够按照之前预定的目标在 2025 年实现量产。

据了解，台积电 2nm 制程工艺将会放弃此前的 FinFET（鳍式场效应晶体管）转向 GAA（环绕栅极晶体管），这将会使芯片在晶体管密度仅提升 10-20% 的同时，做到在相同功耗下速度提高 10-15% 或在相同速度下功耗降低 25-30%。目前已有大量消息显示台积电已经在台湾竹科基地建立试产生产线，并积极筹划下一代芯片生产基地建设。

此外，有业内人士称 2nm 制程工艺芯片的报价将会直逼 2.5 万美元（折合人民币约 18.1 万元），不过对比其在技术上的进步而言价格并不算太过离谱，目前尽管整体半导体行业整体状态目前略显低迷，但台积电仍然保持强势的发展势头。如果台积电在 2nm 制程工艺的研发方面发展顺利，那么对于三星、英特尔等同行而言恐怕 " 弯道超车 " 的希望更加渺茫。