今天小编分享的财经经验：中国光刻胶，离日本还有多大差距？，欢迎阅读。
光刻胶，是芯片制造的关键材料。
为了打破国际垄断，中国企业全力突破瓶頸，进步确实很大。
但是，与日本，中国光刻胶仍然有很大的差距。
到底差在哪里？
中国企业又该如何突围？
光刻胶，顾名思义，就是光刻机在光刻过程中使用的聚合物薄膜材料，英文直译过来是光致抗蚀剂，能在紫外光、电子束、离子束、X 射线等照射或辐射下，发生聚合或解聚反应，把图案留在硅片上。
光刻胶工作原理
我们平常说的光刻胶，其实是一类产品的统称。
按形成的影像来分，有正性和负性两大类。按曝光光源和辐射源的不同就分得更细了，可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、X- 射线胶、电子束胶、离子束胶等。
光刻完成后的晶圆片
每类都有前面说的正负性之分，品种规格很多，非常复杂，对应的配方和生产技术也简单不了，但总体上都包括三种成分：感光树脂、增感剂和溶剂。
光刻胶的使用范围相当广，显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形的加工作业都用得到，下游产品从智能手机的处理器到医疗设备的传感器，再到航天器的控制系统 …… 无所不包。
尤其是对于精密制造和小型化设备的生产，光刻胶更是至关重要。
光刻胶是智能装备必不可少的源头精细化工品，其性能直接影响到终端产品的产能和质量。
光刻胶的市场规模基本约等于智能装备的制造能力，它的研发和改进也是半导体技术水平的关键指标。
正是意识到光刻胶的重要性，近二十年来，我国一直非常重视光刻胶行业的发展，积极给予政策支持，力争实现国产化。
早在 " 十二五 " 期间列出的 16 个国家科技重大专项，《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》位列第二，号称 "02 专项 "。
《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》列入国家科技重大专项
十年过去，"02 专项 " 结出硕果。
2020 年底，南大光电发布公告，称其控股子公司 " 宁波南大光电 " 自主研发的 ArF ( 193nm ) 光刻胶产品成功通过客户的使用认证，" 本次认证选择客户 50nm 闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的 ArF 光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。"
超高精细光刻胶项目在 2018 年 5 月通过了 02 专项验收，2019 年底，以研发团队为技术骨干的国科天骥公司在滨州成立，进行高級光刻胶及其相关有机湿电子化学品的小批量生产。
2021 年，国科天骥在滨州生产园区试生产高級光刻胶。
新闻报道
徐州博康已成功开发 ArF/KrF 单体及光刻胶、I 线光刻胶、封装光刻胶、电子束光刻胶等系列产品。
最近，武汉太紫微光电科技有限公司推出的 T150 A 光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计。
目前，国内已有数十家企业涉足光刻胶领網域，在短短几年内提高了光刻胶的国产化率，市场产值也快速增长。
比如，PCB 光刻胶，国产率达到了 63%，湿膜及阻焊油墨基本能实现自给；
LCD 光刻胶领網域，触控屏光刻胶正逐步实现国产化替代，目前国产率能到三到四成。
光刻胶国产化，进步确实很大。
看到进步，更要看到差距。
从规模上看，2023 年国内光刻胶市场规模约为 121 亿元，预计未来 5 年均复合增长率 10%，增长率超过全球平均水平，但规模占比在全球不到两成。
从类别看，我国光刻胶在高端领網域国产化率极低。像是 7nm 技术所需的最高端的 EUV 光刻胶，国产化率乐观估计也不足 1%。
对比日本，差距尤为突出。
全球五大光刻胶生产商中，日企独占四家，JSR、东京应化、信越化学及富士胶片拿下全球超 70% 的光刻胶市场。
特别是在最高端的 ArF 和 EUV 领網域，日企市场占有率超过 90%！
日本光刻胶的国际市场份额（2022 年）
不仅是市场份额，日企在光刻胶领網域的专利申请量和技术水平在全世界也是遥遥领先。
根据 2021 年 9 月，日本光刻胶专利申请量占全球该领網域专利数量的 46%，一家独大，排名第二的是美国，占 25%。
中国则仅以 7% 的占比，排在韩国之后，排名全球第四。
2023 年，全球共有 5483 件光刻胶专利，日本独占 63%。
2023 年光刻胶专利全球地区分布
应该说，在光刻胶领網域，中国企业与日企的差距是全方位的。
那么，日本的光刻胶企业为什么这么强？
网上有很多文章解答过，大多是从起步较早、政府支持、人才培养等角度分析。
这里，正解局不再面面俱到，而是提供一个观察的视角：
壁垒。
简单来说，日本光刻胶企业先建立了技术壁垒，再建立了行业壁垒，最后建立了产业壁垒。
先看技术壁垒。
早 1960 年代，日本就组织技术突破瓶頸，实现了光刻胶的知识产权自有——东京应化（TOK）于 1968 年研发出首个环化橡胶系光刻胶产品 MOR-81。
到 1970 年代，日本光刻胶已陆续完成商业化，几大巨头掌握核心技术。
1990 年代开始，继续突破高端技术，初步构建技术壁垒。
日企光刻胶技术发展时间线
再看行业壁垒。
日本企业背后，大多有财团的影子。
化工领網域更是日本财团重点布局的行业。财团之间，关系复杂，并非是完全的竞争关系。
表面看上去，日本几大光刻胶龙头企业各自独立。实际上，在不同细分领網域侧重不同，抱团合作，形成行业壁垒。
最后看产业壁垒。
光刻胶是关键行业的关键材料，一旦使用，轻易不会更换。
日本光刻胶企业在晶圆生产的初期就介入进来，联合研发，开发出适配于晶圆厂专门要求的光刻胶。
后续实现生产，光刻胶跟晶圆厂的光刻机和生产条件高度匹配，专品专用，不可替代。
这样一来，除非有巨大的不可抗力，晶圆厂不想也不敢换掉日本企业的光刻胶。
日本光刻胶企业与下游晶圆厂深度合作，嵌入其全产业生态中，构建起牢不可破的产业壁垒，让自己的霸主地位极为稳固。
中国想要在光刻胶领網域掌握主动，打破垄断，要走的路还很远。
首先还是要加大研发突破瓶頸，掌握核心技术。
光刻胶本身复杂产线的行业性质，为打破垄断，缩短与日企的差距，我国企业的研发是多向发力，多点开花。
最高端的 EUV 光刻胶主要有两种类型，一种是化学放大型（CAR），另一种是金属氧化物。
今年 4 月，湖北九峰山实验室与华中科技大学的联合研究团队成功突破了 " 双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶 " 技术。
研究团队发表的论文
这种光刻胶能在曝光后产生更多酸，从而提高成像质量，减小线宽粗糙度，以更高灵敏度和分辨率来适应更先进更复杂的集成电路制造工艺。
在新型光刻胶的研发领網域，我国科研团队也在突破瓶頸。
目前最顶级的 EUV 光刻机中，光刻胶的技术难度之一就是普遍对光源的敏感度不足，这不仅制约了产量，也推高了光刻机及其配套光源的制造难度和成本。
去年 10 月，我国清华大学与浙江大学的联合团队全球首次提出了 " 点击光刻 " 新方法，并成功开发出与之匹配的超高感光度光刻胶样品。
团队发表的论文
这种新型的光刻胶材料，能在极低曝光剂量下实现高对比度成像，大大降低了光刻曝光剂量，提高光刻效率。
其次，光刻胶技术尽快产业化。
光刻胶行不行，技术突破只是一个方面，不能只看专利和论文，最终还是要看落地到产业的情况。
除了前面提到的南大光电和国科天骥等企业之外，中国的光刻胶企业还有不少。在 A 股，目前有约 20 只光刻胶相关的股票，代表着中国光刻胶领網域的中坚力量。
上市公司彤程新材号称是中国唯一掌握高級光刻胶研发技术的企业，大陆唯一一台 ASML 曝光机也在该公司。
在半导体光刻胶领網域，彤程新材的产品线很全，G 线、I 线、KrF、ArF 和 EUV 等五大类光刻胶都有。
G 线光刻胶市场，该公司占据份额较大，I 线光刻胶的技术实力已经接近国际领先水平，KrF 光刻胶已经实现自主研发，主要供给国内下游厂商。比较高端的 ArF 和 EUV 正在试量产中。
最后，要建立光刻胶的产业生态。
除了技术突破和产业化，分析日本的经验可知，更重要的形成自己的产业生态体系——一定要与下游企业深度合作。
说得直接点，就是要有自己的光刻机。
就像大飞机产业链，只有中国自己能造大飞机，能卖大飞机，国产的大飞机零部件才有用武之地，相关的上游产业才能蓬勃发展。
否则，仅有技术是没用的，只能白白拿着技术，转化不出来，慢慢过时落伍被淘汰。
造出自己的光刻机，恰恰是最难的。
全球光刻机行业里，几乎是美日企业的天下。荷兰阿斯麦 ASML 供给了全球 92% 的高端光刻机。
半导体制造设备市场份额 图片来源：日 · 经中文网
目前，我国光刻机的国产化率不足 3%，2023 年进口光刻机数量高达 225 台，进口金额高达 87.54 亿美元，进口金额创下历史新高。
以产品来说，仅有上海微电子能制造 90nm 工艺节点 DUV 光刻机，与 ASML 差距极大。
难度再大，也要上。
换个角度看，国产光刻胶的发展，绝不能单打独斗，需要产业链整体突破。
对光刻胶和半导体行业，我们要有信心，更要有耐心。
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