今天小編分享的科技經驗：SiC價格跳水，開啓下半場戰役，歡迎閲讀。
題圖
2023 年，國内碳化硅（SiC）襯底行業湧入大量的玩家，眾多項目在全國各地落地，產能擴張達到空前規模。
據行業數據顯示，2023 年國内 SiC 襯底的折合 6 英寸銷量已超過 100 萬片，許多廠商的產能爬坡速度超過預期。直至如今，6 英寸 SiC 襯底的擴產動作仍在繼續。
01SiC 產能，持續開出
不完全統計，中國大陸約有 20 餘家 SiC 襯底企業，分别包括天嶽先進、天科合達、 東尼電子 、爍科晶體、同光晶體、世紀金光、 露笑科技 等。
天嶽先進上海臨港新工廠已于 2023 年 5 月開始交付 6 英寸導電型 SiC 襯底，目前產能和產量均在持續爬坡中。按照目前的進展來看，天嶽先進預計将提前實現達產。在此基礎上，天嶽先進在 2023 年下半年決定将 6 英寸 SiC 襯底的生產規模擴大至 96 萬片 / 年。上海臨港工廠達產後，将成為天嶽先進導電型 SiC 襯底主要生產基地。
天科合達徐州 SiC 芯片二期項目于去年 8 月開工，項目總投資 8.3 億元，達產後，可實現年產 SiC 襯底 16 萬片。2023 年 12 月 28 日，該項目已全面封頂，預計今年投產。2024 年 2 月 27 日，由天科合達子公司深圳重投天科負責運營的第三代半導體 SiC 材料生產基地也在深圳寶安區啓動，預計今年襯底和外延產能達 25 萬片。
爍科晶體SiC 二期項目今年順利通過竣工驗收，二期項目的建成，預計将為爍科晶體帶來每年新增 20 萬片 6-8 英寸 SiC 襯底的產能，其中包括 N 型 SiC 單晶襯底 20 萬片 / 年、高純襯底 2.5 萬片 / 年、莫桑晶體 1.3 噸 / 年。東尼電子的 " 年產 12 萬片 SiC 半導體材料 " 項目于 2023 年上半年實施完畢。今年 3 月，湖州市生态環境局公示了對 東尼電子 擴建 SiC 項目的環評檔案審批意見，此次本次公示的項目，則是在該募投項目上的進一步擴建。根據公告内容，東尼半導體計劃利用東尼五期廠區廠房，實施擴建年產 20 萬片 6 英寸 SiC 襯底材料項目。
三安光電去年年底在投資者問答中表示，目前 SiC 產能在逐步釋放，預計 2023 年末至 2024 年初，公司 6 英寸 SiC 產能規劃擴產至 1.8-2 萬片 / 月。
重投天科建設運營的第三代半導體材料產業園于今年年初正式揭牌，該產業園圍繞生產襯底和外延等制造芯片的基礎材料，重點布局了 6 英寸 SiC 單晶襯底和外延生產線，預計 2024 年襯底和外延產能達 25 萬片。
02SiC 價格，持續下探
随着全球 6 英寸 SiC 片產能釋放，加之電動汽車需求暫緩，這給今年 SiC 價格帶來下行壓力。
據悉，2024 年中期，6 英寸 SiC 襯底價格已跌至 500 美元以下，接近中國制造商的生產成本線。然而，到第四季度，價格将進一步跌至 450 美元甚至 400 美元，給大部分制造商帶來沉重财務壓力。值得注意的是，國際供應商的報價在 2023 年底仍高達 850 美元。如今已經有一些一線供應商已經在尋求出售業務，以避免巨額虧損的持續擴大。
對于價格下降的原因，行業分析師将其歸因于供應過剩和市場競争加劇。一線中國供應商為搶占市場份額而發起的價格戰愈演愈烈，小制造商也加入競争，導致市場不穩定。盡管國内 SiC 襯底產能增長迅速，但不同供應商之間的良率差異較大，部分企業在訂單履行方面面臨着嚴峻挑戰。供應商之間的激烈競争使得價格不斷走低，許多廠商被迫虧本銷售。
這種競争環境增強了全球買家的談判地位，博世和英飛凌等主要國際 IDM 獲得了越來越優惠的價格協定。
與此同時，SiC 襯底的主要應用領網域 —— 電動汽車和光伏發電市場（SiC 器件最大的市場），由于長達 6 個月到 1 年的驗證期，使得客户在選擇供應商時尤為謹慎，擔心驗證期結束後供應商可能已破產。這一情況進一步拖累了供應鏈的流動性。
業内人士預計，原本應在 2026 年左右到來的 SiC 襯底行業整合潮，可能會因價格戰的激化而提前至 2025 年中期。
在近日的業績會上，有投資者向 天嶽先進 提問："4 英寸、6 英寸等傳統 SiC 襯底產品價格是否有進一步下探的空間？"
天嶽先進 董事長、總經理宗豔民表示，SiC 襯底價格會下降，這一方面是由于技術的提升和規模化效應推動襯底成本的下降；另一方面，目前SiC 襯底價格比硅襯底高，而價格下降有助于下遊應用的擴展，推動 SiC 更加廣闊的滲透應用。
中國供應商的快速擴產和大幅降價也讓國際競争對手措手不及，全球行業形勢正在悄然發生變化。
03SiC 巨頭，也受到影響
行業巨頭，面臨挑戰
近日，總部位于達勒姆的 Wolfspeed 公司有多則壞消息傳出。
Wolfspeed 曾是全球範圍内首家 8 英寸 ( 200mm ) SiC 晶圓制造廠，從 2015 年項目發布到 2022 年建成投產以及實現量產共歷時 7 年。2023 年，為了加速轉型，Wolfspeed 出售射頻業務給 MACOM，此後 Wolfspeed 專注于 SiC 業務。
然而随着 SiC 市場競争持續加劇，Wolfspeed 業績持續虧損、深陷 " 财務危機 "。根據 Wolfspeed 公布的 2025 财年第一财季财報顯示，該财季營收同比下滑 1.37% 至 1.95 億美元，淨虧損雖同比收窄了 28.68%，但仍虧損達 2.82 億美元。
受業績持續虧損影響，Wolfspeed 日前還宣布啓動了一項耗資 4.5 億美元設施關閉和整合計劃，即關閉其在美國北卡羅來納州達勒姆的 150 毫米 SiC 工廠，同時減約 20% 的員工，目前該公司有 5000 名員工，也就是説需要裁撤 1000 個工作崗位。展望 2025 财年的第二季度，Wolfspeed 預計其非 GAAP 淨虧損額将在 1.45 億至 1.14 億美元之間。
11 月 18 日，Wolfspeed 發布公告稱，其董事會已決定同意 Gregg Lowe 于本月辭去 Wolfspeed 總裁兼首席執行官和董事會成員的職務。雖然 Gregg Lowe 本人和 Wolfspeed 董事會均未説明其辭職的原因，但是外界猜測這與 Wolfspeed 近幾個季度的業績表現脱不了幹系。
羅姆的 SiC 業務有重大調整
Wolfspeed 遭受逆風的同時，另一家 SiC 大廠羅姆半導體的日子也不太好過。
11 月 7 日，羅姆半導體公布了 2024 财年上半年（2024 年 4 月至 9 月）業績報告。該時間段内，羅姆半導體實現營收 2320 億日元（約合人民币 109.04 億），同比下滑 3%。次日羅姆舉行了财務業績發布會，并透露了 SiC 業務進展及未來規劃。
首先是投資金額削減，羅姆半導體原計劃在 2021 年至 2027 年針對 SiC 業務投資 5100 億日元（約合人民币 239.7 億），現在将降至 4700 億 -4800 億日元（約合人民币 220.9 億 -225.6 億），具體來看，2024 财年的投資額降至 1500 億日元（約合人民币 70.5 億），2025 财年則降至 1000 億日元（約合人民币 47 億）以下。
其次是增長計劃放緩，此前，羅姆半導體為其 SiC 業務設定了 2025 财年達到 1100 億日元（約合人民币 51.7 億）的銷售額目标。然而，由于工業設備和電動汽車市場放緩，目标被推遲到 2026-2027 年。
最後是產能安排調整，羅姆半導體正在推動 8 英寸 SiC 的量產，其中築後工廠計劃于 2025 年開始大規模生產，宮崎第二工廠預計在 2025 年投產。另一方面，羅姆半導體原計劃 2025 财年将 SiC 功率半導體的產能提高至 2021 财年的 6.5 倍，但該目标将延遲一年後實現。
04SiC，開啓下半場！
當下，6 英寸 SiC 晶圓價格持續陷入内卷困境，大量廠商将目光投向尺寸更大的 SiC 襯底，試圖以此探尋新的發展契機和突破方向。
目前，8 英寸便是 SiC 戰役的下半場。
根據 Wolfspeed 報告顯示，以 32mm² 面積的裸片（芯片）為例，6 英寸可以切出 448 顆，8 英寸可以切出 845 顆，8 英寸 SiC 襯底上的裸片數量相比 6 英寸增加近 90%；由于邊緣芯片的良率較低，6 英寸的邊緣裸片數量占比會達到 14%，8 英寸的這一占比降低至 7%，8 英寸襯底利用率相比 6 英寸提升了 7%。根據 SiC 襯底廠商天科合達的測算，從 6 英寸提升到 8 英寸，部門成本預計能夠降低 35%。
截至 2023 年，海外已經形成從 8 英寸襯底到晶圓制造的產業鏈布局，海外頭部大廠在 8 英寸 SiC 襯底技術上的發展和產品研發在近兩年明顯加快。除了已實現量產的 Wolfspeed，還有 7 家 SiC 襯底、外延、器件廠預計在未來 1-2 年實現 8 英寸襯底的量產。其中，Wolfspeed 的 8 英寸襯底及 MOSFET 已實現批量應用，并持續建設 JohnPalmour SiC 襯底廠，推動襯底產能擴充、配合其 8 英寸晶圓廠的擴產需求；ST 意法半導體也向 8 英寸領網域投資，其聯合湖南三安半導體建設 8 英寸 SiC 晶圓廠，三安配套自建一座 8 英寸 SiC 襯底廠，保障合資工廠的材料供應穩定性。
根據 YOLE 報告預測，2024 年 8 英寸 SiC 襯底将大批量進入市場。業界預計從 2026 年至 2027 年開始，現在的 6 英寸 SiC 產品都将被 8 英寸產品替代。據集邦咨詢數據顯示，目前 8 英寸的產品市占率不到 2%，預計 2026 年市場份額将成長到 15% 左右。
相關圖表
國内廠商的量產突破步伐也在加快。目前已超 10 家企業 8 英寸 SiC 襯底進入了送樣、小批量生產階段，包括爍科晶體、晶盛機電、天嶽先進、南砂晶圓、天科合達、科友半導體、湖南三安半導體、超芯星、粵海金等。投資方面，爍科晶體、南砂晶圓、天嶽先進、天科合達、科友半導體、三安光電等均有 8 英寸襯底相關擴產計劃，旨在提前為後續中下遊客户做好材料產能供應的準備。
近日，天嶽先進表示正在穩步推進臨港工廠二期 8 英寸 SiC 襯底擴產計劃。其臨港工廠的 8 英寸 SiC 總體產能規劃約 60 萬片，将分階段實施。與此同時， 天嶽先進 還于 2024 德國慕尼黑半導體展覽會上首次推出了 12 英寸 ( 300mm ) SiC 襯底產品 , 正式宣告超大尺寸 SiC 襯底時代的大幕拉開。
今年 6 月，士蘭微電子 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生產線項目（士蘭集宏）在廈門市海滄區正式開工。項目總投資為 120 億元人民币，分兩期建設，兩期建設完成後将形成 8 英寸 SiC 功率器件芯片年產 72 萬片（6 萬片 / 月）的生產能力。其中第一期項目總投資 70 億元，預計在 2025 年三季度末實現初步通線，2025 年四季度試生產并實現產出 2 萬片的目标；2026 年 -2028 年持續進行產能爬坡，最終将形成年產 42 萬片 8 英寸 SiC 功率器件芯片的生產能力。
湖南三安 SiC 項目一期在全線投產後，為順應 6 英寸向 8 英寸轉型大趨勢，二期項目全部導入 8 英寸生產設備和工藝。今年中旬，湖南三安 8 英寸 SiC 產線取得了積極進展。7 月， 三安光電 在投資者互動平台表示，湖南三安項目後續擴產将生產 8 英寸 SiC 產品，目前，8 英寸 SiC 襯底已開始試產，8 英寸 SiC 芯片預計于 12 月投產。
同日，據西永微電園官微消息，重慶三安半導體 SiC 襯底工廠已完成主設備進機儀式。據重慶三安基建負責人透露，該項目目前整體建設進度已完成 95% 以上，正處于設備進場安裝調試的關鍵階段，預計 8 月底将實現襯底廠的點亮通線。
資料顯示，重慶三安意法 SiC 項目總規劃投資約 300 億元人民币，項目達產後将建成全國首條 8 英寸 SiC 襯底和晶圓制造線，具備年產 48 萬片 8 英寸 SiC 襯底、車規級 MOSFET 功率芯片的制造能力，預計營收将達 170 億人民币。
