今天小編分享的科技經驗：俄羅斯宣布自研EUV光刻機：比ASML更便宜、更容易制造！，歡迎閲讀。
快科技 12 月 19 日消息，據報道，俄羅斯已公布自主開發 EUV（極紫外光刻）光刻機的路線圖，目标是比 ASML 的光刻機更便宜、更容易制造。
據悉，俄羅斯的自主光刻機采用 11.2nm 的激光光源，而非 ASML 标準的 13.5nm。這種波長将與現有的 EUV 設備不兼容，需要俄羅斯開發自己的光刻生态系統，這可能需要十年或更長時間。
包括電子設計自動化（EDA）工具也需要進行更新。雖然現有 EDA 工具仍可完成邏輯合成、布局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關鍵制程，如光罩數據準備、光學鄰近校正（OPC）和分辨率增強技術（RET），則需要重新校準或更新為适合 11.2nm 的新制程模型。
該項目計劃由俄羅斯科學院微結構物理研究所的 Nikolay Chkhalo 領導，目的是制造性能具競争力且具成本優勢的 EUV 光刻機，以對抗 ASML 的設備。
Chkhalo 表示，11.2nm 波長的分辨率提高了 20%，可以提供更精細的細節，同時簡化設計并降低光學元件的成本。
這種調整顯著減少了光學元件的污染，延長了收集器和保護膜等關鍵部件的使用壽命。
俄羅斯的光刻機還可使用硅基光阻劑，預期在較短波長下将具備更出色的性能表現。 盡管該光刻機產量僅為 ASML 設備的 37%，因為其光源功率僅 3.6 千瓦，但性能足以應付小規模芯片生產需求。
據報道，俄羅斯光刻機的開發工作将分為三個階段，第一階段将聚焦于基礎研究、關鍵技術識别與初步元件測試。
第二階段将制造每小時可處理 60 片 200 毫米晶圓的原型機，并整合至國内芯片生產線。
第三階段的目标是打造一套可供工廠使用的系統，每小時可處理 60 片 300 毫米晶圓。
目前還不清楚其光刻機将支持哪些制程技術，路線圖也未提到各階段完成的時間表。
