今天小編分享的科技經驗：1c 納米内存競争：三星計劃增加 EUV 使用，美光将引入钼、钌材料，歡迎閲讀。
IT 之家 2 月 3 日消息，根據韓媒 The Elec 的報道，DRAM 内存巨頭三星和美光均将在下一個内存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術。
IT 之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進的内存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。
分析機構 TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研讨會上表示，美光将在 1c nm 節點率先引入钼（Mo，讀音 m ù）和钌（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬将作為布線材料，被用于内存的字線和位線中。
钼和钌的電阻相較于現在應用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過钌也存在自身的問題：其在工藝中會反應生成有毒的四氧化钌（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海力士将稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。
而在三星這邊，其将進一步擴大 EUV 工藝的應用。三星是三大存儲原廠中首先引入 EUV 的企業，已将其應用至字線和位線等層中，預計在 1c nm 中 EUV 應用将擴展至 8-9 層。對于美光，其也将在 1 γ nm 節點首次導入 EUV 光刻。
展望未來 10nm 以下制程，Choi Jeong-dong 表示三大廠商均在研究 3D DRAM 和 4F2 DRAM 等路線以實現進一步微縮，Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不采用電容器的 1T DRAM 等也是可能方向。
