英特爾介紹 MRDIMM 内存：額外接口芯片實現近 40% 峰值帶寬提升

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IT 之家 11 月 18 日消息，英特爾昨日發文介紹了其至強 6 性能核 "Granite Rapids" 處理器支持的新型 DDR5 MRDIMM（IT 之家注：多路復用雙列直插式内存模塊）背後的故事。

英特爾 DCAI 事業部内存開發資深首席工程師 George Vergis 表示，大多數 DIMM 都擁有 2 個 Rank（陣列）以實現性能和容量間的平衡。而在伺服器處理器支持的傳統 RDIMM 上，雖然可以讓獨立存儲和數據訪問發生在多個 Rank 間，但卻無法同時進行，導致并行資源無法被充分利用。

這使得 Vergis 想到在 DRAM 模塊上配置 1 個小型多路復用器（MUX）接口芯片，從而讓數據可以于同一時刻在兩個 Rank 上并行傳輸。

Vergis   帶領團隊自 2018 年開始研發 MRDIMM，并于 2021 年完成了原型概念驗證。英特爾在 2022 年底将 MRDIMM 組件規格作為新的開放标準捐贈給了行業标準制定組織 JEDEC。

在至強 6 性能核處理器上，标準 DDR5 RDIMM 僅可實現 6400MT/s 的數據傳輸速率，而 MRDIMM 在無需調整主機板設計的情況下可達到 8800MT/s，峰值帶寬提高近 40%，緩解了現代處理器核心數量飙升帶來的每核心内存帶寬下降問題。

MRDIMM 尤其适用于科學計算和小語言模型、傳統深度學習、推薦系統等特定工作負載，可解決這些工作場景中面臨的内存帶寬瓶頸。

英特爾表示，一些領先的存儲廠商已經推出 MRDIMM，更多廠商将會陸續發布他們的產品；一些研究機構也正在積極采用支持 MRDIMM 技術的至強 6 性能核處理器。