今天小编分享的科技经验:三星电子在硅谷设立新实验室,负责下一代 3D DRAM 内存研发,欢迎阅读。
IT 之家 1 月 28 日消息,三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的 R&D 研究实验室,专注于下一代 3D DRAM 芯片的开发。
该实验室位于硅谷 Device Solutions America(DSA)运营之下,负责监督三星在美国的半导体生产,并致力于开发新一代的 DRAM 产品,以帮助三星继续引领全球 3D DRAM 市场。
三星去年 9 月推出了业界首款且容量最高的 32 Gb DDR5 DRAM 芯片,采用 12nm 级工艺打造,可生产出 1TB 的内存产品,从而巩固了三星在 DRAM 技术方面的领导地位。
IT 之家注:Gb 即兆位(G bit),是 DRAM 密度部門,与 GB(G Byte)不同。一根内存条有多枚 DRAM 芯片,这些 DRAM 颗粒组合起来就是 Rank(内存区块),大家常见的逻辑容量主要包括 8GB、16GB、32GB 这些,但也有 128GB 的伺服器级内存,其中就使用了不等数量的 DRAM 芯片,目前美光官网列出的 DDR5 SDRAM 产品都是 16Gb 和 24Gb 产品,三星官网 DDR5 SDRAM 产品都是 16Gb 产品,SK 海力士也是 16Gb 产品。
基于 2013 年全球首款 3D 垂直结构 NAND(3D V-NAND)商业化的成功经验,三星电子的目标是主导 DRAM 3D 垂直结构的开发。
在去年 10 月举行的 " 内存技术日 " 活动上,三星电子宣布计划在下一代 10 纳米或更低的 DRAM 中引入新的 3D 结构,而不是现有的 2D 平面结构。该计划旨在克服 3D 垂直结构缩小芯片面积的限制并提高性能,将一颗芯片的容量增加 100G 以上。
三星电子去年在日本举行的 "VLSI 研讨会 " 上发表了一篇包含 3D DRAM 研究成果的论文,并展示了作为实际半导体实现的 3D DRAM 的详细影像。
分析师预计,3D DRAM 市场将在未来几年快速增长,到 2028 年将达到 1000 亿美元。三星和其他主要内存芯片制造商正在激烈竞争,以引领这一快速增长的市场。