应用材料发布 SEMVision H20，精准分类缺陷、检测速度提升3倍

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IT 之家 2 月 21 日消息，应用材料（Applied Materials）公司于 2 月 19 日发布博文，宣布推出新型芯片检测设备 SEMVision H20，速度提升三倍，助力提升先进制程芯片良率。

技术背景

IT 之家注：电子束成像技术一直是检测光学技术无法识别的微小缺陷的重要工具。其超高分辨率能够在数十亿个纳米级电路图案中分析最细微的缺陷。

传统上，光学技术用于扫描晶圆以查找潜在缺陷，然后使用电子束技术对这些缺陷进行更详细的表征。

在新兴的 " 埃米时代 "，最小的芯片特征可能只有几个原子厚，区分真正的缺陷和误报变得越来越困难。

SEMVision H20 创新

SEMVision H20 采用第二代冷场发射电子显微镜技术（CFE）技术，分析速度是热场发射（TFE）设备的三倍，也是第一代 CFE 技术的两倍。

应用材料的 " 冷场发射 "（CFE）技术是电子束成像领網域的一项突破，可实现亚纳米级分辨率，用于识别最小的隐藏缺陷。相比于传统的热场发射（TFE）技术，CFE 在室温下运行，产生更窄、电子更多的电子束，从而使纳米级影像分辨率提高多达 50%，成像速度提高多达 10 倍。

更快的成像速度提高了每个晶圆的覆盖率，使芯片制造商能够在三分之一的时间内收集相同数量的信息。

该设备使用更窄的电子束，让其能够深入芯片底部进行检测，对于 2 纳米以下先进逻辑芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND 至关重要。

随着芯片制程不断推进，光学检测技术逐渐难以满足需求，电子束检测的应用范围正在扩大。SEMVision H20 能够满足先进制程芯片的检测需求，例如 2 纳米以下逻辑芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND。

SEMVision H20 还使用深度学习 AI 算法，能分析趋势，找出真正的缺陷，最终提高芯片制造商的良率。应用材料专有的深度学习网络使用来自芯片制造商工厂的数据进行持续训练，并将缺陷分类到包括空洞、残留物、划痕、颗粒和其他数十种缺陷类型的分布中，从而实现更准确、更高效的缺陷表征。

SEMVision H20 可用于所有前端工艺。这款设备的推出，标志着芯片检测技术的一大进步，将有助于推动先进制程芯片的研发和生产。