美光科技：台湾地震导致DRAM芯片季度供应下降5%，生产尚未完全恢复

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美光科技 Logo（图片来源：钛媒体 App 编辑拍摄）

中国台湾花莲 7.3 级强震对于存储芯片市场的影响持续发酵。

钛媒体 App 获悉，4 月 12 日，全球存储芯片巨头美光科技（Micron）向美国 SEC 发布檔案称，中国台湾 4 月 3 日发生的地震将导致公司生产的 DRAM（动态随机存取记忆体）产品供应在本季度内造成高达中个位数百分比的影响，即 5% 左右。

美光方面也强调，目前就公司运营和供应链影响来看，所有美光团队成员都是安全的，而且这场地震对设施、基础设施或工具没有永久性影响，也不会影响我们的长期 DRAM 供应能力。

据悉，美光成立于 1978 年，其主要业务为生产各种半导体元件，包括动态随机存取存储器，闪存和固态驱动器；其主要产品包括 DRAM、NAND 闪存存储器、其它半导体元件和内存模组等。

全球份额方面，集邦咨询最新数据显示，2023 年第四季度，美光依然是全球第三大 DRAM 厂商，市场份额为 19.2%；在 NAND 市场，美光该季度的市场份额为 9.9%，位列第五。

而从全球范围来看，存储市场主要由三星、SK 海力士、美光科技、铠侠和西部数据等大厂商主导，这 5 家合计占据全球接近 98% 的市场份额。

美光科技最新财报显示，截至 2 月 29 日的 2024 财年第二财季，美光营收为 58.24 亿美元，同比、环比分别增长 58%、23%；美光还扭亏为盈，实现 4.76 亿美元净利润，上财季与上财年同期则分别录得净亏损 10.48 亿美元和 20.81 亿美元。

据美光在中国台湾的董事长卢东晖透露，以 DRAM 制造为主，美光有多达 65％的 DRAM 在中国台湾生产，未来中国台湾更将是最先进 DRAM 制造和先进封装重镇。另外，台中工厂在 2023 年下半年也开始量产先进的 1-beta 制程，主要生产汽车、数据中心等场景的存储芯片。而后续也将有 HBM 在中国台湾地区生产。

因此，台湾花莲地震对于美光科技 DRAM 影响很大。

今年 4 月 3 日上午 7 时 58 分，在中国台湾花莲县海網域（北纬 23.81 度，东经 121.74 度）发生 7.3 级地震，震源深度 12 千米。这是岛内近 25 年来最大规模地震，造成了超过 30 万户停电、部分交通停运和建筑损毁。

针对此次地震，美光科技随后发布公告称：确认所有当地员工均安全无虞。当地的生产运营和供应链影响程度仍在评估中，将持续与客户沟通供货的情况。据悉，美光在台的林口厂与台中厂仍需数日时间完全恢复运作，其余厂区多半在停机检查后陆续复工。

然而，地震数日后，美光存储芯片产品率先暂停报价，将待灾后的损失评估后再度启动 2024 年 Q2 合约价谈判。

早前有消息称，美光已向多数客户提出调升 Q2 产品报价，涨幅超过 20%，价格谈判仍在进行中。同时，NAND 闪存价格也在持续上涨，一季度整体涨 23-28％，第二季度预计还会再涨 13%-18％。

除了美光成为率先调涨 Q2 报价的存储厂商，目前，三星、SK 海力士也跟进停止报价，尽管两大供应商并没有 DRAM 生产位于中国台湾地区，但也希望观望后市后再行动。DRAM 供应商目前大致处于停止报价阶段，模组厂也跟进停止报价，但三星和 SK 海力士也希望提高 DRAM 产量，将恢复至削减前水平。

业界认为，基于近来存储器原厂持续拉抬价格的态度，如今三家原厂停止报价可能成为涨价讯号，并牵动第二季度合约价格。

Omdia 表示，三星电子已将今年第二季度的平均每月 DRAM 晶圆投入量调升至 60 万片，环比增长 13%；预计下半年将 DRAM 晶圆投入量增加至 66 万片，DRAM 产量恢复到削减前的水平。SK 海力士将把每月平均 DRAM 晶圆投入量从第一季度的 39 万片增加到第二季度的 41 万片；下半年预计该公司的 DRAM 晶圆投入量将增加至 45 万片。

集邦咨询在 4 月 10 日表示，地震影响冲击小，美光、南亚科、力积电、华邦电等，均大致恢复 100% 的产线运作，其中仅有美光已经转进至先进制程，多为 1alpha 与 1beta nm，预估将影响整体 DRAM 产出位元占比；其余 DRAM 厂仍停留在 38、25nm，产出占比相对小。整体而言，预期本次地震对第二季 DRAM 产出位元影响仍可控制在 1% 以内，并且合约价涨幅效果有限。