美國給三星電子撥款346.37億補貼 原計劃投資4nm工藝被砍

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根據美國商務部當地時間 12 月 20 日宣布的《CHIPS》法案激勵計劃，三星電子将獲得高達 346.37 億元人民币的直接資金補貼。具體來説，三星承諾在美半導體領網域的投資規模從 4 月的 " 超過 400 億美元 " 降至 12 月的 " 超過 370 億美元 "。此外，項目細節也有所調整。

在最終協定中，三星原計劃在得克薩斯州泰勒市建設一座生產 3D HBM 和 2.5D 封裝的先進封裝設施，但這一内容已被删去。同時，位于泰勒市的兩座先進制程工廠原本計劃專注量產 4nm 和 2nm 制程技術，但最終協定僅提及了 2nm。

這樣一來，相關項目可提供的高薪制造業工作崗位和建築工作機會從 4500 多個和超 17000 個降低到了 3500 多個和約 12000 個。

三星新任 foundry 負責人韓真晚曾表示該部門目前最關鍵的任務是實現 2nm 產能的快速（良率）爬坡。更優秀的工藝質量也有助于三星泰勒廠 2nm 赢得美國本土 Fabless 設計企業的青睐。