消息称三星第 2 代3nm GAA 工艺良率已改善

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IT 之家 12 月 12 日消息，韩媒 chosun 昨日（12 月 11 日）发布博文，报道称三星电子高管透露，第 2 代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺进入稳定阶段，并称 System SLI 和代工厂事业部之间已结束 " 互相推诿责任 "，改而合作推进新芯片商用。

Exynos 2500 的研发目标是 Galaxy S25 系列，但受三星晶圆代工（ Foundry）事业部 3 纳米制程良率低下的制约，以及性能方面落后于高通骁龙系列的因素，导致整个移动 AP 业务陷入危机。

而最新消息称三星已解决 3 纳米良率问题，为 Exynos 2500 的应用铺平了道路，但报告中并未提及具体良率比例。

图源：三星

三星电子高管向该媒体透露，IT 之家翻译如下：

在 3 纳米第 2 代晶圆代工工艺中，首次应用了全环绕晶体管（GAA）技术，确实在量产方面遇到了一些困难。

但现在工艺已经稳定，开始量产只是时间问题。由于初期产量不足，Galaxy S25 系列可能难以搭载该技术，但 Z Flip 系列（应该是指 Galaxy Z Flip7 和 Galaxy Z Flip FE）完全可以搭载该芯片。

一直以来，Exynos 2500 的商业化之路并不顺利，晶圆代工事业部和系统 LSI 事业部之间互相推诿责任是事实。但是现在，为了稳定工艺，双方已达成協定，最大限度地加强合作。