消息稱三星第 2 代3nm GAA 工藝良率已改善

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IT 之家 12 月 12 日消息，韓媒 chosun 昨日（12 月 11 日）發布博文，報道稱三星電子高管透露，第 2 代 3nm GAA（Gate-All-Around）工藝進入穩定階段，并稱 System SLI 和代工廠事業部之間已結束 " 互相推诿責任 "，改而合作推進新芯片商用。

Exynos 2500 的研發目标是 Galaxy S25 系列，但受三星晶圓代工（ Foundry）事業部 3 納米制程良率低下的制約，以及性能方面落後于高通骁龍系列的因素，導致整個移動 AP 業務陷入危機。

而最新消息稱三星已解決 3 納米良率問題，為 Exynos 2500 的應用鋪平了道路，但報告中并未提及具體良率比例。

圖源：三星

三星電子高管向該媒體透露，IT 之家翻譯如下：

在 3 納米第 2 代晶圓代工工藝中，首次應用了全環繞晶體管（GAA）技術，确實在量產方面遇到了一些困難。

但現在工藝已經穩定，開始量產只是時間問題。由于初期產量不足，Galaxy S25 系列可能難以搭載該技術，但 Z Flip 系列（應該是指 Galaxy Z Flip7 和 Galaxy Z Flip FE）完全可以搭載該芯片。

一直以來，Exynos 2500 的商業化之路并不順利，晶圓代工事業部和系統 LSI 事業部之間互相推诿責任是事實。但是現在，為了穩定工藝，雙方已達成協定，最大限度地加強合作。