英特尔更新制程路线图翻盘时间快到了？

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文 / 新喀鸦

在 2021 年时，英特尔公司 CEO 帕特 • 基辛格曾表示：" 基于英特尔在先进封装领網域毋庸置疑的领先性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到 2025 年制程性能再度领先业界。" 而在最近，英特尔更新了制程路线图，包括 Intel 14A 制程技术、专业节点的演化版本，及全新的英特尔代工先进系统封装及测试（Intel Foundry Advanced System Assembly and Test）能力。那么英特尔的翻盘时间要到了吗？

制程路线图

英特尔在本次更新的路线图中新增了 Intel 14A 和数个专业节点的演化版本。英特尔还证实，其 " 四年五个制程节点 " 路线图仍在稳步推进，并将在业内率先提供背面供电解决方案。英特尔预计将于 2025 年通过 Intel 18A 制程节点重获制程领先性。

对于演化版本，其型号后缀一般包含 "E"、"P" 或者 "T"。其中：

E 代表功能扩展（Feature Extension）

P 代表性能提升（Performance Improvement）

T 代表用于 3D 堆叠的硅通孔技术（Through-Silicon Vias）

此外，英特尔代工还宣布将 FCBGA 2D+ 纳入英特尔代工先进系统封装及测试（Intel Foundry ASAT）的技术组合之中。这一组合将包括 FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB、Foveros 和 Foveros Direct 技术。

FCBGA 2D/2D+：倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）是比较成熟的封装工艺，英特尔自 2016 年就进入大批量生产阶段（HVM）。拥有最大的先进热压缩键合（TCB）工具和设备库，具有很好的良率表现；

EMIB 2.5D：嵌入式多芯片互联桥接（EMIB）技术是一种埋入传统有机衬底的 2.5D 封装工艺，适合逻辑 - 逻辑芯片或逻辑 -HBM 存储芯片的互联封装，2017 年开始批量生产；

Foveros 2.5D & 3D：Foveros 是一种裸片堆叠封装技术，适合 PC 和边缘处理器芯片的封装设计，2019 年开始量产；

EMIB 3.5D：结合 EMIB 和 Foveros（即原来的 Co-EMIB），适合多个裸片的 3D 堆叠封装，Intel 数据中心 GPU MAX 系列 SoC 即采用这种 3.5D 封装；

Foveros Direct 3D： Foveros Direct 使用了铜与铜的混合键合取代了会影响数据传输速度的焊接，把凸点间距继续降低到 10 微米以下大幅提高芯片互连密度和带宽，并降低电阻。Foveros Direct 还实现了功能单元分区，让模块化设计做到配置灵活、可定制。

先进封装为什么重要？

通过这次更新的制程路线图，我们不难看出英特尔非常重视先进封装。那么先进封装为什么重要？

虽然封装最开始的作用只是防水、防尘和散热，但随着制程技术逐渐逼近物理极限，它的地位已经完全不同。

为了满足越来越高、越来越复杂的算力需求，同时提高能效比，追求可持续发展，先进封装在芯片制造中的作用正变得越来越关键。先进封装技术一方面能够提升芯片互连密度，在单个封装中集成更多功能单元。另一方面，也将支持英特尔的产品部门和代工客户的异构集成需求，让来自不同供应商、用不同制程节点打造的芯粒（小型的模块化芯片）更好地协同工作，提高灵活性和性能，降低成本和功耗。目前英特尔的先进封装有两大支柱，分别是 EMIB 和 Foveros。