英特爾更新制程路線圖翻盤時間快到了？

今天小編分享的科技經驗：英特爾更新制程路線圖翻盤時間快到了？，歡迎閲讀。

文 / 新喀鴉

在 2021 年時，英特爾公司 CEO 帕特 • 基辛格曾表示：" 基于英特爾在先進封裝領網域毋庸置疑的領先性，我們正在加快制程工藝創新的路線圖，以确保到 2025 年制程性能再度領先業界。" 而在最近，英特爾更新了制程路線圖，包括 Intel 14A 制程技術、專業節點的演化版本，及全新的英特爾代工先進系統封裝及測試（Intel Foundry Advanced System Assembly and Test）能力。那麼英特爾的翻盤時間要到了嗎？

制程路線圖

英特爾在本次更新的路線圖中新增了 Intel 14A 和數個專業節點的演化版本。英特爾還證實，其 " 四年五個制程節點 " 路線圖仍在穩步推進，并将在業内率先提供背面供電解決方案。英特爾預計将于 2025 年通過 Intel 18A 制程節點重獲制程領先性。

對于演化版本，其型号後綴一般包含 "E"、"P" 或者 "T"。其中：

E 代表功能擴展（Feature Extension）

P 代表性能提升（Performance Improvement）

T 代表用于 3D 堆疊的硅通孔技術（Through-Silicon Vias）

此外，英特爾代工還宣布将 FCBGA 2D+ 納入英特爾代工先進系統封裝及測試（Intel Foundry ASAT）的技術組合之中。這一組合将包括 FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB、Foveros 和 Foveros Direct 技術。

FCBGA 2D/2D+：倒裝芯片球栅陣列（FC-BGA）是比較成熟的封裝工藝，英特爾自 2016 年就進入大批量生產階段（HVM）。擁有最大的先進熱壓縮鍵合（TCB）工具和設備庫，具有很好的良率表現；

EMIB 2.5D：嵌入式多芯片互聯橋接（EMIB）技術是一種埋入傳統有機襯底的 2.5D 封裝工藝，适合邏輯 - 邏輯芯片或邏輯 -HBM 存儲芯片的互聯封裝，2017 年開始批量生產；

Foveros 2.5D & 3D：Foveros 是一種裸片堆疊封裝技術，适合 PC 和邊緣處理器芯片的封裝設計，2019 年開始量產；

EMIB 3.5D：結合 EMIB 和 Foveros（即原來的 Co-EMIB），适合多個裸片的 3D 堆疊封裝，Intel 數據中心 GPU MAX 系列 SoC 即采用這種 3.5D 封裝；

Foveros Direct 3D： Foveros Direct 使用了銅與銅的混合鍵合取代了會影響數據傳輸速度的焊接，把凸點間距繼續降低到 10 微米以下大幅提高芯片互連密度和帶寬，并降低電阻。Foveros Direct 還實現了功能單元分區，讓模塊化設計做到配置靈活、可定制。

先進封裝為什麼重要？

通過這次更新的制程路線圖，我們不難看出英特爾非常重視先進封裝。那麼先進封裝為什麼重要？

雖然封裝最開始的作用只是防水、防塵和散熱，但随着制程技術逐漸逼近物理極限，它的地位已經完全不同。

為了滿足越來越高、越來越復雜的算力需求，同時提高能效比，追求可持續發展，先進封裝在芯片制造中的作用正變得越來越關鍵。先進封裝技術一方面能夠提升芯片互連密度，在單個封裝中集成更多功能單元。另一方面，也将支持英特爾的產品部門和代工客户的異構集成需求，讓來自不同供應商、用不同制程節點打造的芯粒（小型的模塊化芯片）更好地協同工作，提高靈活性和性能，降低成本和功耗。目前英特爾的先進封裝有兩大支柱，分别是 EMIB 和 Foveros。