今天小编分享的财经经验：英伟达赚疯背后，三家存储芯片公司的一场「All in」，欢迎阅读。
作者丨邱晓芬
编辑丨苏建勋
AI 热潮之下，除了英伟达一骑绝尘，一众 HBM（高带宽内存）公司的争夺也热火朝天。
2 月 26 日，美光宣布最新的 HBM3E 由于功耗比同行低 30%，将用在英伟达 H200 上；同一天，SK 海力士也搬出新进展—— 2024 年仅过不到 2 月，SK 海力士全年的 HBM 产能已经被预定一空，目前正在为明年做准备。
到了 2 月 27 日，三星也迫不及待拿出有史以来最大容量的 HBM 产品——首款 12 层堆叠的 HBM3E，容量达到了 36GB。
作为一种全新的内存芯片，HBM 不仅内存带宽更大，还能搭配在 GPU 和 CPU 上使用，适用于 AI 大模型的推理和训练。
过去一年，HBM 一直处于焦灼的产能紧缺、产品价格高涨的状态。可以说，英伟达在过去一年卡住了一众 AI 大模型公司的脖子，HBM 则是牢牢卡住了英伟达的脖子。
在 HBM 的决赛圈，不是所有内存芯片公司都能拿到入场券。全球只有三家公司能上牌桌：SK 海力士、美光、三星。
目前来看，这三家公司处于艰难的产能爬坡关键期和产品攻坚阶段，HBM 不仅是这三家的决胜关键点，更是 AI 行业的决胜时刻—— HBM 为何有这么大的魔力？
AI 时代，HBM 技术走到台前
HBM 的竞争，在 OpenAI 带火新一轮 AI 浪潮之前，就已经在产业链上隐秘发生，但直到 2023 年才真正走到了台前。
在英伟达开创的 AI 芯片革命之下，GPU 逐渐接替 CPU 成为了核心处理器。只是，GPU 的计算过程更复杂，也需要存储芯片以更强大的带宽来承接数据，缩短计算的时间。
过去，处理器上常见的存储方案是 DRAM（动态存储器），而在 AI 时代，行业尝试将多片 DRAM 芯片、用 3D 堆叠的方式堆在一起，直接和 GPU 进行封装。相比传统的 DRAM，HBM存储容量、带宽更高、时延也更少。
最早突破核心难点的是 SK 海力士。
早在 2013 年，SK 海力士最早开发出TSV 技术，并应用在 DRAM ——就是在只有几十纳米大小的 DRAM 芯片上，钻几千个小孔，在孔内穿上电极，让这些芯片有机连接起来。
2016 年，三星也开始拼命追赶海力士，并宣称先于对手开发出了第二代 HBM。
这样的戏码此后每隔两年左右都会上演一次，三星和海力士都在抢夺卡位更新一代的 HBM 技术。至今，行业已经跑完了五代的产品迭代。
开发迭代顺序为：HBM（第一代）—— HBM2（第二代）—— HBM2E（第三代）—— HBM3（第四代）—— HBM3E（第五代）
SK 海力士
HBM 的技术争夺战不仅仅是两家韩国厂商的游戏，在 HBM 上掉队许久的美光也加入了战斗。为了尽量缩短追赶的时间視窗，美光直接跳过此前的弯弯绕绕，押注最难的 HBM3E。
按照美光的计划，其产品将在 2024 年开始发货。HBM 在 2023 年产能的空缺，也让英伟达愿意押注经验尚短的美光。
美系厂商的激进步调，引发了韩国厂商的焦灼。为了支持 HBM 的发展，韩国近期还直接把 HBM 定为国家战略技术，最多可以给这两家厂商 40% 的税收减免。
AI 的争夺战，往上游追溯，也是一场缄默的国家较量。
新晋财富密码
三家存储大厂如此看重 HBM，也是因为这一全新的内存形态，实实在在了挽救了这三家企业濒危的业绩。
曾几何时，芯片产业链上先后经历了恐慌式囤货，各家存储芯片厂商畸形扩产，而后消费电子需求疲软又给了大家重重一击。林林总总，存储厂商库存高企，经营状况跌入冰点。
而HBM 则是一个全新的增长飞轮。
吃掉全球 HBM 最大份额的 SK 海力士，靠 HBM 打了一场翻身仗。这家公司发布的 2023 年 Q4 财报显示，SK 海力士时隔四个季度首次扭亏为盈，HBM 的销量同比增长了五倍。
股价方面更是一骑绝尘。最近一年，SK 海力士股价同比上涨了 85%，近期股价几乎创下 20 年来历史最高点。尝到了甜头，SK 海力士把接下来的发展愿景定为——成为「全面的 AI 存储供应商」。
不过，SK 海力士的产能缺口出现，行业中也在急迫寻找下一个海力士替代的需求，股价盛景同样出现在竞争对手处。近一年来，美光股价上涨了 70%，激进的进攻动作，让美光的市值突破千亿美元大关。
一场产能大战一触即发。
三星方面消息显示，计划于 2024 年上半年量产具有 8 层堆栈的下一代 HBM3e 产品。根据计划，三星的 HBM 芯片产量将比去年增长 2.5 倍，明年将再次翻倍。
为了补充粮草弹药，2023 年第四季度，三星特意把持有的 ASML 股票变卖，用来投入全新的 HBM 产线，包括斥资 105 亿韩元收购了韩国天安市的工厂和设备，以及计划投资 1 万亿韩元建设新的包装线。
SK 海力士的量产节点故意比三星早了一季度，3 月已经量产了第五代高带宽内存 HBM3e，产能也预计比去年增加一倍以上。
此外，SK 海力士还双线布局。一方面计划在美国印第安纳州建造一座最先进的制造工厂，另一方面又计划联合产业力量，和闪存制造商铠侠在日本共同生产 HBM。
为了加码高产能，SK 海力士更是计划在 2024 年，保持 10 万亿韩元的新增资本支出——比去年增长了近七成。
各家激进的扩产，其实离不开英伟达在背后的推波助澜。有外媒报道称，为了保证 2024 年的供应，英伟达此前直接向 SK 海力士、美光预先支付了 HBM3E 的预付款，分别为 5.4 亿至 7.7 亿美元，用钱来引导上游补充产能。
为了抓住这波 AI 红利，也为了押注未来的产业生态位，这三家存储芯片公司，几乎往牌桌上推出了所有筹码。
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