今天小編分享的财經經驗：英偉達賺瘋背後，三家存儲芯片公司的一場「All in」，歡迎閲讀。
作者丨邱曉芬
編輯丨蘇建勳
AI 熱潮之下，除了英偉達一騎絕塵，一眾 HBM（高帶寬内存）公司的争奪也熱火朝天。
2 月 26 日，美光宣布最新的 HBM3E 由于功耗比同行低 30%，将用在英偉達 H200 上；同一天，SK 海力士也搬出新進展—— 2024 年僅過不到 2 月，SK 海力士全年的 HBM 產能已經被預定一空，目前正在為明年做準備。
到了 2 月 27 日，三星也迫不及待拿出有史以來最大容量的 HBM 產品——首款 12 層堆疊的 HBM3E，容量達到了 36GB。
作為一種全新的内存芯片，HBM 不僅内存帶寬更大，還能搭配在 GPU 和 CPU 上使用，适用于 AI 大模型的推理和訓練。
過去一年，HBM 一直處于焦灼的產能緊缺、產品價格高漲的狀态。可以説，英偉達在過去一年卡住了一眾 AI 大模型公司的脖子，HBM 則是牢牢卡住了英偉達的脖子。
在 HBM 的決賽圈，不是所有内存芯片公司都能拿到入場券。全球只有三家公司能上牌桌：SK 海力士、美光、三星。
目前來看，這三家公司處于艱難的產能爬坡關鍵期和產品攻堅階段，HBM 不僅是這三家的決勝關鍵點，更是 AI 行業的決勝時刻—— HBM 為何有這麼大的魔力？
AI 時代，HBM 技術走到台前
HBM 的競争，在 OpenAI 帶火新一輪 AI 浪潮之前，就已經在產業鏈上隐秘發生，但直到 2023 年才真正走到了台前。
在英偉達開創的 AI 芯片革命之下，GPU 逐漸接替 CPU 成為了核心處理器。只是，GPU 的計算過程更復雜，也需要存儲芯片以更強大的帶寬來承接數據，縮短計算的時間。
過去，處理器上常見的存儲方案是 DRAM（動态存儲器），而在 AI 時代，行業嘗試将多片 DRAM 芯片、用 3D 堆疊的方式堆在一起，直接和 GPU 進行封裝。相比傳統的 DRAM，HBM存儲容量、帶寬更高、時延也更少。
最早突破核心難點的是 SK 海力士。
早在 2013 年，SK 海力士最早開發出TSV 技術，并應用在 DRAM ——就是在只有幾十納米大小的 DRAM 芯片上，鑽幾千個小孔，在孔内穿上電極，讓這些芯片有機連接起來。
2016 年，三星也開始拼命追趕海力士，并宣稱先于對手開發出了第二代 HBM。
這樣的戲碼此後每隔兩年左右都會上演一次，三星和海力士都在搶奪卡位更新一代的 HBM 技術。至今，行業已經跑完了五代的產品迭代。
開發迭代順序為：HBM（第一代）—— HBM2（第二代）—— HBM2E（第三代）—— HBM3（第四代）—— HBM3E（第五代）
SK 海力士
HBM 的技術争奪戰不僅僅是兩家韓國廠商的遊戲，在 HBM 上掉隊許久的美光也加入了戰鬥。為了盡量縮短追趕的時間視窗，美光直接跳過此前的彎彎繞繞，押注最難的 HBM3E。
按照美光的計劃，其產品将在 2024 年開始發貨。HBM 在 2023 年產能的空缺，也讓英偉達願意押注經驗尚短的美光。
美系廠商的激進步調，引發了韓國廠商的焦灼。為了支持 HBM 的發展，韓國近期還直接把 HBM 定為國家戰略技術，最多可以給這兩家廠商 40% 的税收減免。
AI 的争奪戰，往上遊追溯，也是一場緘默的國家較量。
新晉财富密碼
三家存儲大廠如此看重 HBM，也是因為這一全新的内存形态，實實在在了挽救了這三家企業瀕危的業績。
曾幾何時，芯片產業鏈上先後經歷了恐慌式囤貨，各家存儲芯片廠商畸形擴產，而後消費電子需求疲軟又給了大家重重一擊。林林總總，存儲廠商庫存高企，經營狀況跌入冰點。
而HBM 則是一個全新的增長飛輪。
吃掉全球 HBM 最大份額的 SK 海力士，靠 HBM 打了一場翻身仗。這家公司發布的 2023 年 Q4 财報顯示，SK 海力士時隔四個季度首次扭虧為盈，HBM 的銷量同比增長了五倍。
股價方面更是一騎絕塵。最近一年，SK 海力士股價同比上漲了 85%，近期股價幾乎創下 20 年來歷史最高點。嘗到了甜頭，SK 海力士把接下來的發展願景定為——成為「全面的 AI 存儲供應商」。
不過，SK 海力士的產能缺口出現，行業中也在急迫尋找下一個海力士替代的需求，股價盛景同樣出現在競争對手處。近一年來，美光股價上漲了 70%，激進的進攻動作，讓美光的市值突破千億美元大關。
一場產能大戰一觸即發。
三星方面消息顯示，計劃于 2024 年上半年量產具有 8 層堆棧的下一代 HBM3e 產品。根據計劃，三星的 HBM 芯片產量将比去年增長 2.5 倍，明年将再次翻倍。
為了補充糧草彈藥，2023 年第四季度，三星特意把持有的 ASML 股票變賣，用來投入全新的 HBM 產線，包括斥資 105 億韓元收購了韓國天安市的工廠和設備，以及計劃投資 1 萬億韓元建設新的包裝線。
SK 海力士的量產節點故意比三星早了一季度，3 月已經量產了第五代高帶寬内存 HBM3e，產能也預計比去年增加一倍以上。
此外，SK 海力士還雙線布局。一方面計劃在美國印第安納州建造一座最先進的制造工廠，另一方面又計劃聯合產業力量，和閃存制造商铠俠在日本共同生產 HBM。
為了加碼高產能，SK 海力士更是計劃在 2024 年，保持 10 萬億韓元的新增資本支出——比去年增長了近七成。
各家激進的擴產，其實離不開英偉達在背後的推波助瀾。有外媒報道稱，為了保證 2024 年的供應，英偉達此前直接向 SK 海力士、美光預先支付了 HBM3E 的預付款，分别為 5.4 億至 7.7 億美元，用錢來引導上遊補充產能。
為了抓住這波 AI 紅利，也為了押注未來的產業生态位，這三家存儲芯片公司，幾乎往牌桌上推出了所有籌碼。
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