消息稱三星推動 DRAM 制程更新，多款 1y nm DDR4 内存條年底 EOL

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IT 之家 4 月 22 日消息，台媒《電子時報》今日稱，随着三星電子推動 DRAM 内存制程工藝的策略性轉換更新，多款采用老舊 1y nm（第二代 10nm 級）工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組（内存條）即将停產。

具體來看，多家供應鏈企業反饋收到產品 EOL（IT 之家注：生命周期結束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 内存條的最後訂購日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最後出貨。

報道指出，三星電子正快速推動傳統 DRAM 内存產線向 DDR5、HBM 等較新產品的轉換，而這也意味着與老舊制程關系密切的 DDR3、DDR4 逐步停產。

據悉三星電子已于 2024 年第二季度停產 DDR3；1y nm DDR4 產能在整體中的占比将快速從去年的 20% 上下削減至今年下半年的不足一成；再下一代的 1z nm DDR4 預計将在 2027 年停產。