英偉達黃仁勳期待三星 HBM3E 12H 表現，在展台上留下親筆籤名

今天小編分享的科技經驗：英偉達黃仁勳期待三星 HBM3E 12H 表現，在展台上留下親筆籤名，歡迎閲讀。

IT 之家 3 月 23 日消息，三星電子美國分公司負責人韓進萬（Han Jin-man）近日發布 LinkedIn 動态，分享了兩張圖片，英偉達首席執行官黃仁勳參觀三星 GTC 2024 展台時，在 HBM3E 12H 上留下了親筆籤名。

圖源：韓進萬   LinkedIn   動态

黃仁勳在宣傳 "HBM3E 12H" 產品卡片上，親筆籤下了 "JENSEN APPROVED" 的字樣。三星的 HBM3E 12H 是業界首款 12 層堆疊產品，英偉達目前正在對該產品進行驗證測試。

而在該照片發布之前，黃仁勳在吹風會中表示：" 三星是一家非常非常優秀的公司，英偉達已經開始驗證三星的 HBM 内存芯片，并考慮在未來下單采購 "。

韓進萬還在社交媒體上分享了一張照片，展示了黃仁勳在參觀三星展台後和三星工作人員的合影照片。

圖源：韓進萬   LinkedIn   動态

黃仁勳并未正面表達親筆籤名的态度和确切含義，但業界猜測這反映了他對 HBM3E 的高度期望。

黃仁勳将 HBM 稱為 " 技術奇迹 "（technological miracle），相比較傳統 DRAM，不僅可以提高數據中心的性能，功耗方面明顯更低。

IT 之家此前報道，三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達 1280GB/s，產品容量也達到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過 50%。

據介紹，HBM3E 12H 采用了熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得 12 層和 8 層堆疊產品的高度保持一致，以滿足當前 HBM 封裝的要求。

因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項技術将在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜（NCF）材料的厚度，并實現芯片之間的間隙最小化至 7 微米（µ m），同時消除了層與層之間的空隙。

這些努力使其 HBM3E 12H 產品的垂直密度比其 HBM3 8H 產品提高了 20% 以上。