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從入門到放棄,芯片的詳細制造流程!

2025-05-05 简体 HK SG TW

今天小編分享的科技經驗:從入門到放棄,芯片的詳細制造流程!,歡迎閱讀。

上一期,小棗君介紹了晶圓的制備流程(鏈接)。

矽錠和晶圓

今天,我們繼續往下講,說說芯片(晶粒)的制作流程。

這個環節,是芯片制造過程中最難的部分。我盡量講得通俗易懂一些,也希望大家能耐心看完。

█ 氧化

首先,在切割和抛光後的晶圓上,我們要先做一層氧化。

氧化的目的,是在脆弱的晶圓表面,形成一層保護膜(氧化層)。氧化層可以防止晶圓受到化學雜質、漏電流和刻蝕等影響。

氧化的工藝,包括熱氧化法、等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)、電化學陽極氧化等。

其中,最常用的是熱氧化法,即在800~1200°C的高溫下,形成一層薄而均勻的二氧化矽層。

根據氧化時所使用的氣體,氧化也分為幹法氧化和溼法氧化。

幹法氧化,通過輸入純氧,使其在晶圓表面流動,從矽進行反應,形成二氧化矽層。溼法氧化,是同時使用氧氣和高溶解度的水蒸氣。

幹法氧化的速度慢,但形成的氧化層很薄,而且致密。溼法氧化的速度快,但保護層相對較厚,且密度較低。

目前,幹法氧化是半導體制造中的主流技術。溼法氧化更多用于非關鍵層或特定厚膜需求場景。

█ 光刻(塗膠、前烘、曝光、後烘、顯影)

接下來,終于到了最最最重要的環節——光刻。

我們這幾年一直耿耿于懷被"卡脖子"的光刻機,就和這個環節有關。

所謂"光刻",其實簡單來說,就是像印刷機一樣,把芯片電路圖給"刻"在晶圓上。

光刻可以分為塗膠、曝光、顯影三個主要步驟。我們逐一來看。

首先,是塗膠。

這個膠,叫做光刻膠,有時候也叫光阻,是一種光敏材料。

光刻膠有兩種類型:正膠和負膠。

正膠,被特定的光束照射(曝光)之後,分子結構會發生變化,變得容易溶解。負膠,恰好相反,被照射之後,會變得難以溶解。大部分情況,用正膠。

塗膠時,先讓晶圓在1000~5000RPM的速度下旋轉。然後,将光刻膠少量倒在晶圓的中心。光刻膠會因為離心力的作用,逐漸擴散到整個晶圓的表面,形成一層1到200微米厚的均勻塗層。

塗膠

值得一提的是,光刻膠也是一個技術含量很高的材料。國内使用的大部分光刻膠都來自日本。

塗膠完成後,會對晶圓進行軟烤加熱,讓光刻膠稍微固化一些。這個步驟叫"前烘"。

接着,該光刻機登場了,要進行曝光。

将晶圓放入光刻機,同時,也将掩模放入光刻機。

掩模,全名叫光刻掩膜版,也叫光阻,英文名mask。它是光刻工藝的核心,也是芯片設計階段的重要輸出物。(後續,小棗君會專門介紹芯片設計階段。)

掩模是一塊帶有不透明材料(如鉻)圖案層的玻璃或石英板。上面的圖案,其實就是芯片的藍圖,也就是集成電路版圖。

掩模

在光刻機中,晶圓和掩模都被精準固定。然後,光刻機的特殊光源(汞蒸氣燈或準分子激光器)會發出光束(紫外線),光束會通過掩模版的镂空部分,以及多層透鏡(将光進行匯聚),最終投射到晶圓的一小塊面積上。

精細的電路圖案,就這樣"投影"在晶圓上。

以正性光刻膠為例,被照射位置的光刻膠,會變得容易溶解。未被照射的光刻膠,則毫發無損。

固定晶圓和掩模的機械位不停地移動,光束不停地照射。最終,在整個晶圓上,完成數十個至數百個芯片的電路"繪制"。

光刻機工作過程

矽片從光刻機出來後,還要經歷一次加熱烘焙的過程(120~180℃的環境下,烘焙20分鍾),簡稱後烘。

後烘的目的,是讓光刻膠中的光化學反應充分完成,彌補曝光強度不足的問題。同時,後烘還能減少光刻膠顯影後,因為駐波效應產生的一圈圈紋路。

接下來,是顯影。

曝光之後,将晶圓浸泡在顯影溶液中。顯影溶液會去除被照射過的光刻膠(正膠),露出圖案。

然後,對晶圓進行衝洗并幹燥,就能夠留下一個精确的電路圖案了。

█ 關于光刻機

這裡插一段,專門說說這個光刻機。

傳統的光刻技術,通常使用深紫外光(DUV)作為光源,波長大約在193nm(納米)。光波的波長,限制了光刻工藝中最小可制造的特征尺寸(即分辨率極限)。随着芯片制程的不斷演進,傳統的DUV光刻技術,逐漸無法滿足要求。

于是,就有了EUV光刻機。

EUV光刻機使用極紫外光(Extreme Ultra-Violet,EUV)作為光源,波長僅為13.5nm,遠遠小于DUV。這使得EUV光刻能夠創建更小的特征尺寸,滿足先進芯片制程(如7nm、5nm、3nm)的制造需求。

EUV光刻對光束的集中度要求極為嚴格,工藝精度要求也非常變态。例如,EUV光刻機用于反射的鏡子長度為30cm(厘米),表面起伏不得超過0.3nm(納米)。相當于修一條從北京到上海的鐵軌,要求鐵軌的起伏不能超過1mm。

極高的技術指标要求,使得EUV光刻機的制造變得非常非常困難。全球範圍内能夠研發和制造EUV光刻機的企業屈指可數。而居于領先地位的,就是大名鼎鼎的荷蘭ASML(阿斯麥)公司。

根據ASML透露的信息,每一台EUV光刻機,擁有10萬個零件、4萬個螺栓、3千條電線、2公裡長軟管。EUV光刻機裡面的絕大多數零件,都是來自各個國家的最先進產品,例如美國的光栅、德國的鏡頭、瑞典的軸承、法國的閥件等。

單台EUV光刻機的造價高達1億美元,重量則為180噸。每次運輸,要動用40個貨櫃、20輛卡車,每次運輸需要3架次貨機才能運完。每次安裝調試,也需要至少一年的時間。

ASML的EUV光刻機產量,一年最高也只有30部,而且還不肯賣給我們。整個芯片產業裡面,"卡脖子"最嚴重的,就是這個EUV光刻機。

█ 刻蝕

好了,繼續聊芯片制造流程。

現在,圖案雖然是顯現出來了,但我們只是去掉了一部分的光刻膠。我們真正要去掉的,是下面的氧化層(未被光刻膠保護的那部分)。

也就是說,我們還要繼續往下"挖洞"。

這時要采用的工藝,就是刻蝕。

刻蝕工藝分為溼法刻蝕和幹法刻蝕兩種。

溼法刻蝕,是将晶圓片浸入到含有特定化學劑的液體溶液中,利用化學反應來溶解掉未被光刻膠保護的半導體結構(氧化膜)。

幹法刻蝕,是使用等離子體或者離子束等來對晶圓片進行轟擊,将未被保護的半導體結構去除。

刻蝕工藝中,有兩個概念需要關注。一是各向同性(各向異性),二是選擇比。

如上圖所示,溼法刻蝕的時候,會朝各個方向進行刻蝕,這就叫"各向同性"。而幹法刻蝕,只朝垂直方向進行刻蝕,叫"各向異性"。顯然後者更好。

刻蝕的時候,既刻蝕了氧化層,也刻蝕了光刻膠。在同一刻蝕條件下,光刻膠的刻蝕速率與被刻蝕材料(氧化層)的刻蝕速率之比,就是選擇比。顯然,我們需要盡可能少刻蝕光刻膠,多刻蝕氧化層。

目前,幹法刻蝕占據了主導地位,是業界的優先選擇。

因為幹法刻蝕具有更強的保真性。而溼法刻蝕的方向難以控制。在類似3nm這樣的先進制程中,容易導致線寬減小,甚至損壞電路,進而降低芯片品質。

█ 摻雜(離子注入)

好啦,"挖洞"的工藝,介紹完了。

此時的晶圓表面,已經被刻出了各式各樣的溝槽和圖形。

接下來,我們再來看看摻雜工藝。

之前介紹芯片基礎知識(半導體芯片,到底是如何工作的?)的時候,小棗君提過,晶體管是芯片的基本組成單元。而每一個晶體管,都是基于PN結。如下圖(MOSFET晶體管,NPN)所示,包括了P阱、N阱、溝道、栅極,等等。

前面的光刻和刻蝕,我們只是挖了洞。接下來,我們要基于這些洞,構造出P阱、N阱。

純矽本身是不導電的,我們需要讓不導電的純矽成為半導體,就必然需要向矽内摻入一些雜質(稱為摻雜劑),改變它的電學特性。

例如,向矽材料内摻入磷、銻和砷,就可以得到N阱。摻入硼、鋁、镓和铟,就可以得到P阱。

N是有自由電子的。P有很多空穴,也有少量的自由電子。通過在通道上加一個栅極,加一個電壓,可以吸引P裡面的電子,形成一個電子的通道(溝道)。在兩個N加電壓,NPN之間就形成了電流。

如下圖所示:

圖中,底下就是P阱襯底。兩個洞是N阱。

也就是說,做這個NPN晶體管時,在最開始氧化之前,就已經采用了離子注入,先把襯底做了硼元素(含少量磷元素)摻雜,變成了P阱襯底。(為了方便閱讀,這個步驟我前面沒講。)

現在,挖洞的部分,就可以做磷元素摻雜,變成N阱。

大家看懂了沒?摻雜的目的,就是創造PN結,創造晶體管。

摻雜,包括熱擴散(Diffusion)和離子注入(Implant)兩種工藝。因為熱擴散工藝因其難以實現選擇性擴散,所以,除特定需求之外,目前大部分都是使用離子注入工藝。

離子注入,就是用高能粒子束,将雜質直接射入到矽片中。

離子源基本上都是注入氣體(因為方便操作),例如磷烷(PH3)或者三氟化硼(BF3)。氣體通過離化反應室時,被高速電子撞擊,氣體分子的電子被撞飛,變成離子狀态。

此時的離子成分比較復雜,包括硼離子、氟離子等。就要通過質譜分析儀,構建磁場,讓離子發生偏轉,把需要的離子挑出來(不同的離子,偏轉角度不一樣),然後撞到晶圓上,完成離子注入。

離子注入機的構造

(來源:《半導體制造技術導論》)

此時,二氧化矽層(氧化層)就變成了離子注入的阻擋層。

離子注入之後,需要将矽表面加熱到900℃,進行退火。

退火,可以讓注入的摻雜離子進一步均勻擴散到矽片中。同時,也可以修復離子注入對晶圓造成的損傷(離子注入時,會破壞矽襯底的晶格)。

█ 薄膜沉積

前面說了那麼多,我們都是在"挖洞"。接下來,我們要開始"蓋樓"。

我們先看一個成品芯片的架構圖(局部示例):

大家會發現,這是一個非常復雜的立體結構。它有很多很多的層級,有點像大樓,也有點像復雜的立體交通網。

在這個架構的最底下,就是我們前面辛苦打造的矽襯底,也就是基底。

作為芯片大廈的低級,襯底必須有很好的熱穩定性和機械性能,還需要起到一定的電學隔離作用,防幹擾。

襯底上,是大量的晶體管主體部分。在襯底的上層,是大量的核心元件,例如晶體管的源極、漏極和溝道等關鍵部分。

FinFET晶體管(鳍式晶體管)

晶體管的栅極,主要采用的是"多晶矽層"。因為多晶矽材料具有更好的導電性和穩定性,适合控制晶體管的開關态。晶體管的源極、漏極、栅極的連接金屬,通常是鎢。

再往上,我們就需要構建大量的道路(電路),把這些晶體管連接起來,組成復雜的功能電路。

做這個連接電路,當然是金屬比較合适。所以,主要用的是銅等金屬材料。我們姑且将這層,叫做金屬互連層。

全都是金屬,當然容易短路。所以,也需要一些絕緣層(膜),把電路隔離開。

在芯片的最上面,一般還要加一個鈍化層。鈍化層主要發揮保護作用,防止外界(如水汽、雜質等)的污染、氧化和機械損傷。

那麼,這麼多層,到底是如何搭建起來的呢?

答案就是薄膜沉積。

這一層又一層的架構,其實就是一層又一層的薄膜(厚度在次微米到納米級之間)。有的是薄金屬(導電)膜,有的是介電(絕緣)膜。創造這些膜的工藝,就是沉積。

沉積包括化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)和原子層沉積(ALD)。

化學氣相沉積 (CVD) 是通過化學反應,生成固态物質,沉積到晶圓上,形成薄膜。它常用來沉積二氧化矽、氮化矽等絕緣薄膜(層)。

化學氣相沉積示例

化學氣相沉積 (CVD) 的種類非常多。等離子體增強化學氣相沉積(PECVD,前面說氧化的時候,也提到它),是借助等離子體產生反應氣體的一種先進化學氣相沉積方法。

這種方法降低了反應溫度,因此非常适合對溫度敏感的結構。使用等離子體還可以減少沉積次數,往往可以帶來更高質量的薄膜。

物理氣相沉積 (PVD) 是一種物理過程。

在真空環境中,氩離子被加速撞擊靶材,導致靶材原子被濺射出來,并以雪片狀沉積在晶圓表面,形成薄膜,這就是物理氣相沉積。它常用來沉積金屬薄膜(層),實現電氣連接。

濺射沉積示例

通過薄膜沉積技術(如PVD濺射、電鍍)形成金屬層(如銅、鋁)的過程,業内也叫做金屬化,或者金屬互連。

金屬互連包括鋁互聯和銅互連。銅的電阻更低,可靠性更高(更能抵抗電遷移),所以現在是主流選擇。

原子層沉積(ALD),是一種可以将物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法,和普通化學沉積有一些相似。

原子層沉積是交替沉積。它先做一次化學沉積,然後用惰性氣體衝掉剩餘氣體,再通入第二種氣體,與吸附在基體表面的第一種氣體發生化學反應。生成塗層。如此反復,每次反應只沉積一層原子。

這種方式的優點是非常精确。它可以通過控制沉積周期的次數,實現薄膜厚度的精确控制。

█ 清洗和抛光

在進行光刻、刻蝕、沉積等工藝的過程中,需要反反復復地進行清洗和抛光。

清洗,采用的是高純度化學溶液,目的是移除其表面殘留的雜質和污染物,确保後續工藝的純淨度。

抛光,是消除晶圓表面的起伏和缺陷,提高光刻的精度和金屬互聯的可靠性,從而實現更高密度更小尺寸的集成電路設計和制造。

上期介紹晶圓制備的時候,我們提到過CMP(化學機械平坦化),也就是采用化學腐蝕、機械研磨相結合的方式,對晶圓表面進行磨抛,實現表面平坦化。

如果沒有CMP過程,這個大廈就是一個"歪樓"。後續工藝都沒辦法進行,做出來的芯片也無法保證品質。

圖片來源:網絡

█ 反復循環

前面說了,芯片包括幾十甚至上百層。

事實上,每一層的搭建,其實就是光刻、蝕刻、沉積、清洗、CMP的反復循環。

如下面的gif動圖所示:

慢動作分解:

大家都看明白了沒?

經過N次的反復循環,芯片這棟大樓,終于"封頂"啦。撒花!撒花!

别高興得太早!"封頂"之後,還有很多"善後"工藝呢!

█ 針測(探針測試)

經過前面的工序之後,晶圓上形成了一個個的方形小格,也就是晶粒(Die)。

"Die"這個詞,大家第一次看到可能會比較驚訝,這不是"死"的意思嘛。

但實際上,它和"死"沒關系。這個"Die",源自德語"Drahtzug"(拉絲工藝),或與切割動作"Diced"相關。也有說法稱,早期的半導體工程師,會用"Die"形容晶圓上切割出的獨立單元,如同硬币模具。

大廈封頂,第一件事情,當然是測試。

測試是為了檢驗半導體芯片的質量是否達到标準。那些測試不合格的晶粒,不會進入封裝步驟,有助于節省成本和時間。

電子管芯分選(EDS)是一種針對晶圓的測試方法,通常分為五步,具體如下:

第一步,電氣參數監控(EPM)。

EPM會對芯片的每個器件(包括晶體管、電容器和二極管)進行測試,确保其電氣參數達标。EPM提供的電氣特性數據測試結果,将被用于改善工藝效率和產品性能(并非檢測不良產品)。

第二步,晶圓老化測試。

将晶圓置于一定的溫度和電壓下進行測試,可以找出那些可能發生早期缺陷的產品。

第三步,針測(Chip Probing)。

此時的芯片,因為還沒有切割和封裝,其管腳(或稱為墊片)是直接暴露在外的。

所以,針測,就是利用精密的探針台和探針卡,連接芯片管腳與自動化測試設備(ATE)。

ATE會施加預定的測試信号,檢查芯片是否符合預設的性能标準,如工作電壓、電流消耗、信号時序以及特定功能的正确執行。針測還可以進行電性測試(檢測短路、斷路、漏電等缺陷),以及溫度、速度和運動測試。

第四步,修補。

沒錯,有些不良芯片是可以修復的,只需替換掉其中存在問題的元件即可。

第五步,點墨。

未能通過測試的晶粒,需要加上标記。過去,我們需要用特殊墨水标記有缺陷的芯片,保證它們用肉眼即可識别。如今,由系統根據測試數據值,自動進行分揀。

測試之後,芯片制造的前道工藝,就全部完成啦。能堅持看到這裡的,都是真愛啊!

總結一下整個過程,如下圖所示:

下一期,我們就要介紹後道工藝。也就是如何把芯片給切割下來,進行封裝和測試,并最終發貨出去。

敬請期待!

參考文獻:

1、《芯片到底是如何制造出來的?》,新石器公園,B站;

2、《超級長文解析芯片制造全流程》,胡說漫漫談,B站;

3、《用沙子造芯片》,談三圈,B站;

4、《芯片制造工藝流程.圖文詳解》,Semika;

5、《芯片制造流程詳解》,半導體行業觀察;

6、《關于半導體制造過程的步驟、技術和流程的詳解》,愛在七夕時,知乎;

7、《一文讀懂芯片生產全過程》,芯片半導體;

8、《芯片制造的10個關鍵步驟》,中制智庫;

9、《半導體產品制造的八個步驟》,Lam Research;

10、《半導體制造過程的步驟、技術、流程圖》,北港南巷,車規半導體硬體,知乎;

11、《一文讀懂芯片生產流程》,Eleanor羊毛衫;

12、《一顆芯片的誕生》,科技朋克Roy;

13、《芯片制造全流程》,周佳,芯助手;

14、《半導體制造技術》,誇克、瑟達、韓鄭生,電子工業出版社;

15、《圖解入門:半導體制造》,佐藤淳一、王憶文、王姝娅,機械工業出版社;

16、維基百科、youtube、各廠商官網。

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