今天小編分享的科技經驗：英特爾 18A 工藝準備就緒，Panther Lake 下半年投產，歡迎閱讀。
IT 之家 2 月 23 日消息，英特爾昨天更新了其半導體爾 Foundry 相關頁面的介紹，并宣布其 " 四年五個節點 " 計劃中最後也是最為重要的 Intel 18A 工藝已準備就緒，計劃于今年上半年開始流片。
18A 制程的成熟标志着英特爾 IDM 2.0 戰略的重大突破，同時被視為英特爾代工服務（IFS）重鑄往日榮光的關鍵信号，對于已經退休的英特爾前 CEO Pat Gelsinger 來說絕對是好消息。
就目前已知信息，英特爾下一代移動處理器 Panther Lake 至少有一部分将基于 Intel 18A 工藝制造。
英特爾表示，Panther Lake 芯片計劃于今年下半年發布并投產，不過 Intel 18A 初期產能有限，所以搭載該芯片的筆記型電腦預計要等到 2026 年才會大批量上市。
此外，英特爾将于 2026 年推出下一代 Nova Lake 桌面處理器。這兩款產品承載了英特爾復興的希望，英特爾認為它們的到來将顯著改善該公司的收入情況。
英特爾還計劃在明年上半年推出的首款基于 Intel 18A 的伺服器產品 Clearwater Forest（最初計劃 2025 年發布）。英特爾表示，今年的主題是提高 " 至強 " 的市場競争地位，從而努力縮小與競争對手的差距。
說回 Intel 18A 工藝，英特爾稱其采用了業界首創的 PowerVia 背面供電技術，以及 RibbonFET 全環繞栅極（GAA）晶體管技術，相較于 Intel 3 工藝密度提升 30%、部門功耗性能提升 15%。
據行業分析，其 SRAM 密度已與台積電 N2 制程持平，甚至在功耗和性能平衡把控方面更具競争優勢。
IT 之家從官方獲悉，PowerVia 背面供電技術通過将供電層與信号層分離，實現芯片密度和單元利用率提升 5%-10%。相比傳統正面供電設計，其電阻壓降（IR Drop）顯著降低，在相同功耗條件下可實現最高 4% 的性能提升。
RibbonFET 全環繞栅極晶體管技術采用納米帶（Nanoribbon）結構，實現對電流的精确控制，可在芯片元件微縮化進程中有效降低漏電率，有效緩解高密度芯片的功耗問題。
英特爾表示，Intel 18A 技術作為 IFS 的核心競争力，憑借多項突破性創新，将成為北美地區首個量產落地的 2nm 以下先進制程節點，為全球客戶提供供應鏈多元化選擇。
