今天小編分享的科技經驗：EUV光刻機争奪戰，風雲突變，歡迎閱讀。
光刻機一直是半導體領網域的熱門話題。
從早期的深紫外（DUV）光刻機起步，其穩定可靠的性能為半導體產業的發展奠定了堅實基礎；到後來的極紫外（EUV）光刻機以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑（High-NA）光刻機正式登上歷史舞台，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。
尤其是随着 ASML High-NA EUV 光刻機的問世，這一目前世界上最先進的芯片制造設備，顯著提升了芯片的晶體管密度和性能，這對于實現 2nm 以下先進制程的大規模量產至關重要。
在此形勢下，英特爾、台積電、三星、SK 海力士等晶圓制造大廠伺機而動，争相導入或宣布 High-NA EUV 光刻機市場進展，預示着半導體行業将迎來新一輪的技術革新和競争高潮。
英特爾：時運不濟
在半導體巨頭中，英特爾是率先向 ASML 訂購新型 High-NA EUV 設備 EXE:5000 的企業。
早在 2023 年 12 月，英特爾就拿下了全球首台 High NA EUV 光刻機，并于今年 4 月宣布其已在位于美國俄勒岡州希爾斯伯勒的 Fab D1X 研發晶圓廠完成世界首台商用 High-NA ( 0.55NA ) EUV 光刻機的組裝工作，目前已進入光學系統校準階段，并計劃在其 18A（1.8nm）和 14A（1.4nm）節點上使用。
今年 8 月，英特爾又宣布成功接收全球第二台價值 3.83 億美元的 High-NA EUV 光刻機，目前在俄勒岡州的晶圓廠已經順利完成安裝調試。
ASML 早些時候曾表示，2nm 光刻機近期的產能只有 10 台，預計到 2028 年才能每年生產 20 台。值得注意的是，這 10 台最新光刻設備，公開資料顯示有 6 台已被英特爾拿下。
可見，在最先進光刻機的導入進展上，英特爾取得了遙遙領先的優勢。
常言道 " 吃一塹，長一智 "，而英特爾之所以如此積極的選擇 High-NA EUV 設備，實際上很大原因在于其此前在 EUV 上跌過的跟頭。
Tick-Tock 模式潰敗、錯失 EUV 技術視窗
眾所周知，英特爾與 ASML 合作了數十年時間，推動了光刻技術從 193nm 浸沒式光刻技術發展到 EUV，但出于成本考慮，英特爾時任 CEO 不願采用昂貴的 ASML EUV 光刻機，選擇不在其 10nm 工藝中使用該技術，而是使用 DUV 光刻機進行四重圖案化，結果導致英特爾在良率方面遇到了重重困難。
回顧歷史能看到，2011 年英特爾首發了 22nm FinFET 工藝，遠超當時台積電、三星的 28nm，技術優勢可謂遙遙領先。然而從 14nm 節點開始，英特爾接連遭受重創。
2014 年，英特爾和三星都實現了 14nm 制程芯片的生產，可到 2017 年，台積電已經推進到 10nm、7nm 工藝，英特爾卻因為不願意采用最新的 EUV 光刻技術，導致其原計劃在 2016 年大規模量產 10nm 芯片直到 2019 年才實現量產，比台積電推出時間晚了兩年半，而其 7nm 芯片更是直至 2022 年才推出。
實際上，除了沒能把握住 EUV 技術之外，英特爾代工的衰退與其 "Tick-Tock" 戰略也脫不了關系。
英特爾前任 CEO 保羅 · 歐德寧對于芯片制造曾提出 "Tick-Tock" 戰略，即在 Tick 年（工藝年）更新制作工藝，Tock 年（架構年）更新微架構，相當于每兩年一次工藝制程進步。但同期，為推行 " 高效管理 "、" 成本節約計劃 "，英特爾裁員 2 萬人，大量參與下一代芯片工藝和架構研發的工程師被裁撤，導致 "Tick-Tock" 模式難以持續，14nm 芯片延遲一年才推出，10nm 芯片更是幾番推遲。
英特爾像擠牙膏一樣對芯片技術進行微小的年度更新，那些年一度被大家譏諷為 " 牙膏廠 "。
随着 Tick-Tock 模式的崩潰，以及錯失 EUV 早期技術視窗，英特爾開始逐漸掉隊。
與此同時，台積電和三星從 ASML 大量采購 EUV 設備，不斷縮小芯片的制程尺寸，提高芯片的效率和性能，大大提升了在晶圓代工領網域的競争力。在先進制程上，英特爾被台積電、三星遠遠甩在了身後。
更嚴重的是，生產工藝落後、產品競争力下滑，不僅影響了英特爾的代工業務，也使其台式機芯片和伺服器芯片的市場份額不斷被蠶食。
可謂，牽一發而動全身。
英特爾自救，前路何在？
因此，痛定思痛後的英特爾，率先對 High-NA EUV 光刻機展開了攻勢，試圖追回被拉開的差距。
上面提到，2024 年 4 月，重達 150 噸的巨大設備被安裝在英特爾位于美國俄勒岡州的研究設施裡。
這也是在英特爾 CEO Pat Gelsinger 提出 "IDM 2.0" 戰略後，迅速重新聚焦于尖端制程工藝的提升，提出了四年五個工藝節點的計劃，希望在 2025 年憑借 Intel 18A 實現對于台積電 2nm 工藝的追趕和超越。
與此同時，英特爾希望通過率先采用 High NA EUV 光刻機來實現對于台積電等競争對手的持續領先。英特爾的目标是在 2026 至 2027 年間實現 Intel 14A 制程技術的量產，并在此基礎上進一步提升制程技術。最終在 2030 年前實現英特爾代工業務實現收支平衡的運營利潤率，并成為全球第二大晶圓代工廠。
目标指引下，英特爾正在不斷加強代工基礎設施建設，計劃未來 5 年投資 1000 億美元擴大先進芯片制造能力。同時将投資約 300 億歐元在德國馬格德堡建設兩家半導體工廠。這些投資計劃将使英特爾芯片代工能力大幅提升。
然而，戰略願景很美好，但現實卻很殘酷。
盡管英特爾雄心勃勃，但由于四年五個節點及路線演進、生态構建和產能擴建等巨額的投入，英特爾披露其代工業務去年營收同比下降 31.2% 至 189 億美元，經營虧損 70 億美元，同比擴大 34.6%。
2024 年有可能将是英特爾芯片制造業務經營虧損最嚴重的一年，今年 Q1 财報顯示，該業務運營虧損 25 億美元，幾乎是上一季度的兩倍；Q2 虧損更是達到 28.3 億美元，代工虧損額不斷擴大。
據研究機構 TrendForce 集邦咨詢數據，2024 年二季度，英特爾并未進入全球晶圓代工廠營收前 10 名。在過去幾年裡，英特爾曾經在 2023 年第三季度短暫上榜，市場份額僅為 1%。
這意味着，IFS 三年來無法真正托舉起英特爾以尖端芯片制造重塑行業地位的目标，同時作為美國本土唯一有能力能承擔起前沿代工行業承擔着的角色，英特爾也無法扛起時代重任。
據心智觀察所報道，美國半導體咨詢公司 D2D Advisory 總裁 Jay Goldberg 也特别指出：" 英特爾代工面臨的真正挑戰，還在于他們的經濟模式中必須要擁有更多的客戶，以支持不斷推進其制造流程所需的研發。必須加大外部客戶需求，将收入規模增加一倍，以支持保持在摩爾定律的軌道上繼續前進。"
不難看到，英特爾目前已陷入到兩難境地，業績持續下滑，2024 年甚至由盈轉虧，股價暴跌将近 60%，市值幾度跌破千億美元，成為标普 500 指數中表現最差的科技股之一。
面對危機，英特爾在内部信上表示，将進一步分離芯片制造和設計業務，這是該公司解決 50 年歷史上最嚴重危機之一的一系列新措施的一部分。
根據英特爾此前公布的預測數據顯示，分拆晶圓制造業務後，2023 年可以節省 30 億美元成本，2025 年将節省 80-100 億美元成本。同時也推遲德國和波蘭建廠計劃 2 年；馬來西亞建廠則會完成，但正式啟用時間則視市況與產能利用率而定。
在英特爾繼續緊急行動執行上個月宣布的計劃的同時，英特爾也在努力謹慎管理現有的現金，以有意義地改善資產負債表和流動性。其中就包括出售部分 Altera 的股份，并推動其獨立 IPO；產品研發策略方面，也規劃将簡化 x86 產品組合。這也是英特爾多次公開讨論的計劃。
今年 8 月，英特爾甚至還被曝出正在考慮分拆其產品和代工業務。值得一提的是，在傳出或分拆其晶圓業務之後，英特爾股價曾反彈 9% 以上，可見投資者對芯片代工業務有多失望。
處在谷底中的英特爾就是美國芯片制造業的一個縮影，成本、技術、資源、IDM 身份等，都在制約英特爾野心勃勃的芯片代工計劃。但盡管業界也有放棄芯片代工的可能性探讨，盡管芯片代工業務持續的虧損已經讓資本市場不滿意，但這也是為數不多能拯救英特爾于水火的關鍵布局。
英特爾沒有選擇，只有抓住任何的可能性，硬着頭皮上。
因此，英特爾需要最尖端的 High-NA EUV 光刻機作為生產和營銷工具，以宣示自身在 3nm 以下的研發制造實力且嘗試壯大客戶群，但 High-NA EUV 光刻機作為新機，又讓英特爾不得不冒着設備折舊和量產攤銷成本的壓力以平息外界質疑。
從行業競争的持續以及芯片代工 " 重資產、長周期 " 的產業屬性來看，英特爾還有諸多硬仗要打。尤其是在英特爾開啟公司史上最大轉型以自救的處境下。
英特爾過去也有過從困境中復蘇的經歷。1980 年代在日本企業的攻勢下，英特爾撤出了 DRAM，把經營資源集中于 CPU，席卷了個人電腦市場。
正如基辛格所述：" 這是英特爾四十多年來最重要的轉型。自從内存過渡到微處理器以來，我們還沒有嘗試過如此重要的事情。我們當時成功了，我們将迎接這一時刻，并在未來幾十年内打造更強大的英特爾。"
但英特爾的種種自救，仍需要時間檢驗。
三星電子，陷代工陰霾
今年 8 月，在 "2024 年光刻 + 圖案學術會議 " 上，三星電子表示為了在與英特爾、台積電等全球半導體競争對手的 " 芯片戰 " 中保持競争力，公司正在積極參與技術開發，最早将在 2024 年底到 2025 第一季度之間引進公司首台 High-NA EUV 設備 "EXE:5000"，并有望在 2027 年實現該技術的全面商業化。
據悉，該設備可能被放置在位于華城園區的半導體研究所 ( NRD ) ，預計将用于代工業務，以進一步提升在先進節點領網域的競争優勢。
實際上，三星芯片代工在早年占據了絕對優勢。2007 年喬布斯發布第一代 iPhone 時，使用的正是從三星采購的 ARM 架構芯片。後續搭載于 iPhone 4、iPhone 4s、iPhone 5、iPhone 5s/5c 身上的 A4、A5、A6、A7 芯片也均由三星代工，那時候還沒有台積電什麼事。
直到 2011 年，因為三星自己也從事手機芯片和手機終端研發和銷售業務，如此一來就與蘋果在智能手機市場上有了競争關系。雙方互相拉扯，直到 2018 年 6 月才達成和解。
在這個過程中，蘋果也開啟了" 去三星化 " 進程。2014 年推出的 A8 芯片，全部轉由台積電代工。台積電能順利從三星手中搶到蘋果的訂單，一方面是蘋果急着尋找可替代的代工商，給台積電制造了很大的機會。另一方面是台積電在 20nm 工藝上取得重大突破，良品率大幅提升，而三星的 20nm 工藝突然掉鏈子，關鍵問題遲遲無法解決，良品率滿足不了蘋果的要求。正是這樣的天時地利，讓台積電成功抱到了蘋果這條大腿。
反觀三星，大客戶被搶之後，決定不搞 20nm，選擇直接從 28nm 跳到 14nm，對台積電的 16nm 形成反超。所以，在 2015 年的 A9 芯片上，蘋果又重新分給三星一部分訂單，于是出現台積電代工和三星代工兩種版本。理論上，三星 14nm 表現應該是優于台積電 16nm，但消費者的口碑卻完全相反，很多人都擔憂買到三星代工的版本。
這次的失利，讓三星徹底失去蘋果的代工訂單，蘋果公司之後的芯片均由台積電代工，制程也從 2015 年的 16nm，穩步提升到 4nm。
與此同時，高通也險些在三星代工中跌了跟頭，骁龍 8+Gen1 緊急轉為台積電 4nm 代工，才強行挽回了高通的口碑和市場地位。
在芯片代工賽道上，三星具有起步優勢，但奈何中期連續多次失利，才讓台積電一步步實現反超，直至今日的大幅領先。然而，三星也清楚自己與台積電之間存在這技術差距，所以想要對台積電形成反超，就必須拿出更強的 " 殺手锏 "。
于是，三星幾乎把追趕台積電的全部希望都押注在 3nm 工藝上。2023 年，三星率先推出 3nm 制程工藝，采用更加先進的 GAA（環繞栅極晶體管）技術，領先于台積電的 FinFET 技術。
可以說，3nm 相當于三星最後的 " 背水一戰 "，如果能一舉追趕台積電，或許未來有機會形成雙雄争霸的局面。
然而從市場進展來看，三星 3nm 工藝在良率方面面臨挑戰，這導致了一個很尴尬的局面，即三星的 3nm 芯片，雖然比台積電先推出，但是成本卻比台積電高出很多，性能表現也存在差距。據悉，三星第二代 3nm 制程工藝良品率不穩定，自家 Exynos2500 良品率都不足 20%，三星 Galaxy25 系列手機全系搭載骁龍 8Gen4 處理器，放棄自研 Exynos2500 版本，原因是體驗差異太大。
與台積電差距拉開之後，給三星下訂單的客戶越來越少。
過去高通先進制程的芯片一直都是三星獨家代工，結果在 5nm 芯片之後，高通也将先進制程的芯片訂單交給了台積電；現如今，蘋果的 A17、A18 系列芯片，全部采用台積電的 3nm 工藝制造；高通的 3nm 芯片和聯發科的天玑 9400 等也全由台積電代工；連英偉達、AMD、特斯拉的 3nm 芯片，都是台積電代工，包括現在英特爾的訂單也給了台積電。
在芯片制造上，台積電一家拿下了全球 60% 以上的市場份額，3nm 的芯片制造幾乎拿下 100% 的份額，而 7nm 以下的芯片制造，拿下了 90% 的份額。第二大晶圓廠三星的市場份額僅為 11.5%。
據《朝鮮日報》消息，三星已經将平澤 2 廠，3 廠的 4nm，5nm 和 7nm 生產線關閉了 30% 產能。預計到 2024 年底，還将繼續關閉產能直到 50%。這一舉措顯然是為了應對全球科技巨頭如英偉達、AMD 及高通等未能給予三星電子大規模訂單的現狀。
有行業專家強調，一旦設備關閉，恢復正常運營是一個漫長的過程。通常情況下，即使在需求低迷時期，公司也會降低利用率，而不是全面停工。然而，三星近 30% 的先進工藝設備閒置是前所未有的。
2024 年第三季度，三星包括晶圓代工和系統 LSI 等非內存部門虧損金額超過 1 萬億韓元。此外，三星 3nm 制程的良率持續處于低位，也一直沒有獲得大客戶的采用，近期還将美國得州泰勒市先進代工晶圓廠量產時間延後到 2026 年。
綜合來看，這樣的差距，讓三星在 3nm 時代，想要超越台積電的夢想徹底破滅了。
因此，三星引進 High-NA EUV 光刻機的消息，意味着其将與英特爾和台積電在下一代光刻技術上展開更為激烈的競争。
三星計劃在 2025 年量產 2nm 制程，并逐步擴展到其他應用領網域。比如，2025 年首先用于行動領網域，2026 年擴展到 HPC 應用，2027 年再擴展至汽車領網域。三星的 2nm 制程節點采用了優化的背面供電網絡技術，以降低供電電路對信号電路的幹擾。
這一發展标志着三星首次涉足 High NA EUV 技術。此前，三星電子曾與 IMEC 合作進行電路處理研究。三星計劃利用自己的設備加速先進節點的開發，并設定了到 2027 年實現 1.4nm 工藝商業化的目标，這可能為 1nm 生產鋪平道路。
此外，為了實現全面商業化，三星還正在積極構建相關生态系統。
據悉，三星電子已購買了雷射技術公司的 High-NA EUV 掩膜檢查設備 "Actis ( ACTIS ) A300"。預計在三星電子内部完成 ASML 的 EXE:5000 安裝後，将從明年上半年開始正式引進。同時與電子設計自動化（EDA）公司合作設計新型光罩，包括用于 High-NA EUV 的非直線 ( Curvilinear ) 掩膜電路繪制方法，以提高晶圓上印刷電路的清晰度。此次合作涉及半導體 EDA 工具全球領導者 Synopsys 等公司。
除了 ASML、雷射技術公司、Synopsys 之外，三星電子預計還會與 JSR 等光刻膠公司、将光刻膠塗在晶圓上的跟蹤設備 "Number One" 東京電子等多家公司合作，為 High-NA 時代到來做準備。據悉，三星電子正通過這樣的生态系統建設工作，準備在 2027 年正式商用 High-NA。
三星電子的晶圓代工業務正站在一個關鍵的十字路口，其生死存亡，似乎全系于 2nm 芯片制程技術的量產之上。這不僅是技術上的飛躍，更是三星晶圓代工業務能否重獲新生的關鍵。
然而通往成功的道路從來都不是一帆風順的。三星在推進其技術藍圖的過程中，不得不面對一系列嚴峻的挑戰：
首先是技術層面的難題，先進制程的良率問題一直是懸在半導體廠商頭上的達摩克利斯之劍。三星的 3 納米制程就因良率低迷、可靠性存疑而未能達到量產标準，這無疑給其晶圓代工業務蒙上了一層陰影。
更糟糕的是，市場的反應也并未如三星所願。盡管三星努力提升技術實力，但在客戶心中，其晶圓代工業務的可靠性和競争力仍顯不足。面對台積電等強勁對手，三星在争取高端客戶方面顯得力不從心。這種市場困境，進一步加劇了三星的财務壓力。據估算，三星晶圓代工業務在第三季度恐将虧損數千億韓元，這是對三星管理層的一次重大考驗。
面對内憂外患，三星高層不得不做出一系列艱難的決定。
根據研究公司 Statista 的數據，盡管三星多年來一直努力挑戰台積電，但三星在代工制造市場的份額在過去五年裡下降了 8 個百分點，2024 年第二季度，三星占據全球代工市場份額的 11.5%，而台積電占據 62.3% 的市場份額。
三星市場份額的下降凸顯了其在掌握先進芯片制造技術方面面臨的技術挑戰，在代工業務上投資過多，既沒有獲得足夠的客戶，也沒有穩定生產工藝，這進一步導致了三星目前的危機。
綜合來看，半導體行業本身是技術快速迭代與市場變幻莫測的領網域，三星必須保持足夠的敏銳度，以應對未來的變化。如何在快速變化的市場中找到适合自身發展的道路，是三星當前亟待解決的問題。
台積電 " 有條不紊 "，赢下 " 談判遊戲 "
作為半導體行業的領導者，台積電在過去的 30 多年中立下了赫赫戰功。過去多年來，在面對三星和英特爾帶來的巨大挑戰和壓力時，台積電審時度勢并采取有效的措施，成為了世界第一大芯片代工企業。
如今，即使行業頭部半導體企業紛紛争奪 High-NA EUV 設備，台積電似乎并不急于加入這一行列。
此前，談到何時導入 High-NA EUV 設備，台積電資深副總暨副共同營運長張曉強接受外采訪時透露，台積電胸有成竹，不會因為對手們搶先添購設備而盲目擴大采購，仍采穩扎穩打方式布局先進制程，迎接挑戰。
然而，近期有消息報道，台積電預計将于今年年底從 ASML 接收首批全球最先進的芯片制造設備——高數值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機。這一消息标志着台積電在半導體制造領網域再次邁出了重要一步。
有趣的是，台積電前期以成本為由，遲遲不肯接受 High NA EUV。早些時候，台積電 CEO 魏哲家缺席 " 台積電技術研讨會 2024"，而是前往荷蘭埃因霍溫的 ASML 總部洽談設備。
如今看來，這有點像台積電的談判遊戲，也許是在與 ASML 争取更好的條件。
傳聞魏哲家親自與 ASML 談判并達成了一項協定，通過購買新設備和出售舊型号相結合的方式，将整體價格降低了近 20%。ASML 同意以折扣價向台積電出售 High-NA EUV 設備的原因主要是因為台積電是其超級 VIP 客戶，ASML 給予了很大的讓步。這一讓步包括全力協助台積電進機、調校與技術支援等，以加速上線時間點。
因此，台積電的态度也發生了戲劇性的轉變，由原先對新款 High NA EUV 光刻機價格的猶豫，轉為積極尋求合作。
據悉，台積電則預計将在本季度在其位于中國台灣新竹總部附近的研發中心安裝新的 High NA EUV 光刻機。短期内，台積電計劃将 High NA EUV 光刻機主要用于研發，以開發客戶推動創新所需的相關基礎設施和模式解決方案。
根據 ASML 的路線圖，第一代的 High-NA EUV 光刻機 TWINSCAN EXE:5000 或許主要是被晶圓制造商用于相關實驗與測試，以便公司更好地了解 High-NA EUV 設備的使用，獲得寶貴經驗。實際量產将會依賴于 2024 年底出貨的 TWINSCAN EXE:5200。
台積電即将推出的 N2（2 納米級）和 A16（1.6 納米級）工藝技術将完全依賴于傳統的 EUV 設備，這些設備的光學元件具有 0.33 NA。業界預計，台積電最早可能在 2028 年或更晚的 A14（1.4 納米級）工藝技術中采用 0.55 NA EUV 工具，盡管目前公司尚未對此進行官方确認。
與競争對手相比，台積電可以通過持續的生產實踐積累寶貴的經驗數據與優化工藝，從而難以構建起 " 訂單驅動 - 技術迭代 - 再獲訂單 " 的良性循環體系。換言之，台積電有着極為龐大的優質客戶群協助他們調試各種設備 bug，這恰恰是三星和英特爾所缺少的。
台積電布局策略：無寶不落
筆者此前曾提到，從三巨頭布局策略和方式來看，台積電往往被認為是一個保守技術開發者，其傾向于确保新技術的成熟和可靠性，然後再進行部署，而不是急于将新技術推向市場。
從實際的市場表現來看，台積電此舉可以降低技術失敗的風險，提高其芯片的產量和質量，從而确保客戶的滿意度。
例如，三星在 2018 年開始在其 7nm 工藝中使用 EUV 光刻機，然而台積電選擇等待。直到 EUV 工具的穩定性和成熟性得到确認，以及相關問題得到解決或至少得到确定，才在 2019 年的 N7+ 工藝中開始使用 EUV。
此後，在 FinFET 向 GAA 工藝的過渡上，台積電依舊重操這一模式。憑借工藝領先性和生產良率上的技術優勢和積累完全有實力與采用 GAA 技術架構的三星抗衡。
在英特爾大力押注的 BSPDN 背面供電技術上，台積電依舊不緊不慢，計劃将在 2026 年底才開始大規模生產的 N2P 上加入。
這種謹慎的方法有助于台積電确保其制程技術的穩定性和可預測性，從而提供高質量的芯片給其客戶。
但從先進封裝領網域來看，台積電則一改常态，積極布局率先落地，在先進制程與先進封裝的組合拳下，為其帶來了新的增長浪潮。
在這張弛有度的策略下，充分凸顯着台積電的戰略哲學和獨到眼光。在其看準的藍海賽道，台積電始終敢為人先，無論是十年前率先試產 16nm FinFET 制程技術超越英特爾，還是五年前部署先進封裝收獲如今的 AI 紅利，台積電都精彩演繹了所謂鳳凰無寶不落。
而在其保持較大優勢的先進制程領網域，縱然面對三星和英特爾的步步緊逼，台積電沒有選擇盲目激進，反而采取了先觀察再跟随的策略，在做好充分的準備和規劃後 " 亦步亦趨 "，憑借自身強大的產能、良率和客戶基礎的基本盤優勢，維持不敗之地。
SK 海力士發力 High NA EUV，
押寶 HBM
此外，在存儲領網域，SK 海力士的首台 High NA EUV 光刻機 "EXE:5200" 則有望 2026 年引入，旨在支持其先進 DRAM 產品的量產。這一舉措進一步彰顯了半導體行業對于先進制程技術的持續追求和投入。
2023 年，SK 海力士就曾單獨組建了一個團隊，專門開發 High-NA EUV 技術。
SK 海力士作為 HBM 領網域巨頭，正不斷加大對 High-NA EUV 技術開發的内部投入，積極擴大相關研發團隊。盡管關于設備安裝的具體晶圓廠位置及額外投資方向等信息尚未公開，但業界普遍預期，該技術将迅速應用于 0a（個位數納米）DRAM 的規模化生產，以進一步提升產品競争力。
寫在最後
7nm 以下的世界是另類冒險家的樂園，台積電，三星和英特爾的競合關系變得愈發微妙。
根據光刻機之 " 瑞利公式 "，光刻工藝的提升在過去幾十年來一直在多維度全面出擊，即不斷優化曝光波長、數值孔徑以及工藝因子。但目前曝光波長的縮短、數值孔徑（NA）的增加都已經逼近了物理和成本綜合考量的極限。
如今距離摩爾定律的極限越來越近，行業幾乎走到了隧道盡頭，2nm 及接下來幾代工藝節點将會是芯片巨頭搶灘的關鍵。
在全球範圍内，台積電、英特爾和三星等半導體巨頭之間的競争正在升溫，它們競相獲得 2nm 以下工藝的 High NA EUV 設備。英特爾于 2023 年 12 月率先獲得該設備，台積電于 2024 年第三季度緊随其後。盡管三星的訂單來得晚，但實現穩定的生產可能是決定行業領先地位的關鍵因素。
但芯片代工的競争，不僅僅是技術的競争，更是客戶、品牌、良率、產能等各方面的綜合競争。不知道，英特爾和三星能否在新市場的黎明期抓住重新崛起的機會。如果失敗，台積電将繼續獨占鳌頭。
