業界首款！三星成功開發12層堆疊36GB HBM3E内存：帶寬達1280GB/s

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快科技 2 月 27 日消息，今天，三星電子官方宣布，成功開發出業界首款 36GB 12H（12 層堆疊）HBM3E DRAM，鞏固了在高容量 HBM 市場的領先地位。

通過采用 TSV 技術，三星将 24Gb DRAM 芯片堆疊到 12 層，從而實現業界最大的 36GB HBM3E 12H 容量。

據介紹，HBM3E 12H 能夠提供高達 1280GB/s 的帶寬和迄今為止最大的 36GB 容量，相比于前代 8 層堆疊的 HBM3 8H，在帶寬和容量上提升超過 50%。

同時三星還通過先進的 TC NCF（熱壓的非導電薄膜）技術使 12H 產品與 8H 產品具有相同的高度，能夠滿足 HBM 封裝規格。

先進 TC NCF 技術的應用在增加 HBM 堆棧數量的同時，還最大限度地減少了由于芯片變薄而可能發生的 " 翹曲現象 "，有利于高端堆疊擴展。

此外三星還不斷降低 NCF 材料的厚度，實現了業界最小的 7 微米的芯片間距，實現了比 HBM3 8H 高出 20% 以上的垂直整合。

三星表示，HBM3E 12H 有望成為使用 AI 平台的各種公司的最佳解決方案，與 HBM3 8H 相比其 AI 訓練速度平均提高 34%，同時推理服務用戶數量也可增加超過 11.5 倍。

目前三星電子已開始向客戶提供 HBM3E 12H 的樣品，并預計今年上半年量產。