今天小編分享的科技經驗：美光：下一代 HBM4 内存計劃 2026 年大規模生產，後續推出 HBM4E，歡迎閱讀。
IT 之家 12 月 22 日消息，據外媒 Wccftech 今日報道，美光發布了其 HBM4 和 HBM4E 項目的最新進展。
具體來看，下一代 HBM4 内存采用 2048 位接口，計劃在 2026 年開始大規模生產，而 HBM4E 将會在後續幾年推出。
HBM4E 不僅會提供比 HBM4 更高的數據傳輸速度，還可根據需求定制基礎芯片，這一變化有望推動整個行業的發展。
據了解，定制的邏輯芯片将由台積電使用先進工藝制造，能夠集成更多的緩存和邏輯電路，從而提升内存的性能和功能。
美光總裁兼 CEO Sanjay Mehrotra 表示："HBM4E 的推出将改變存儲行業，它将提供定制邏輯基礎芯片的選項，借助台積電先進的工藝，美光将能夠為特定客戶提供定制化解決方案。這項創新将推動美光财務表現的提升。"
美光表示，HBM4E 的開發進展順利，已經與多家客戶展開合作，預計不同客戶将采用不同配置的基礎芯片。
據 IT 之家了解，美光的 HBM4 将采用 1β 工藝（第五代 10nm 技術）生產的 DRAM，置于一個 2048 位接口的基礎芯片上，數據傳輸速率約為 6.4GT/s，理論帶寬高達每堆棧 1.64TB/s。
美光還透露，針對英偉達的 Blackwell 處理器，8-Hi HBM3E 設備的出貨已全面展開，12-Hi HBM3E 堆棧正在進行測試，主要客戶反饋良好。
Mehrotra 表示：" 我們繼續收到主要客戶對美光 HBM3E 12-Hi 堆棧的積極反饋，盡管功耗比競争對手的 HBM3E 8-Hi 低 20%，美光的產品依然提供 50% 更高的内存容量和行業領先的性能。"
12-Hi HBM3E 堆棧預計将用于 AMD 的 Instinct MI325X 和 MI355X 加速器，以及 Nvidia 的 Blackwell B300 系列計算 GPU，服務于 AI 和 HPC 應用。
