今天小編分享的科技經驗：Intel 14A将于2027年量產，領先台積電一年，歡迎閱讀。
美國舊金山當地時間 4 月 29 日上午，2025 英特爾代工大會（Intel Foundry Direct Connect）正式在聖何塞開幕。在此次大會上，英特爾透露了其最新的 Intel 14A 制程的進展。
根據英特爾最新披露的數據顯示，Intel 14A 相比 Intel 18A 将帶來 15-20% 的每瓦特性能提升，密度提升 30%，功耗降低 25-35%。
同時，Intel 14A 制程及其演進版本 14A-E 都将會采用第二代的 RibbonFET 環繞栅極晶體管 ( GAA ) 技術，以及全新的 PowerDirect 直接觸點供電技術（18A 是 PowerVia 背面供電技術），并采用 High NA EUV 技術進行生產。
英特爾解釋稱，之所以引入 High NA EUV 技術，是因為這樣做可以提高效率，從而降低成本。如下圖所示，High NA EUV 一次曝光所形成的圖形中的晶體管間距與常規的三次 Low NA EUV 曝光所形成的圖形的晶體管間距相當，而且後者總共需要約 40 個步驟來生產該圖案，顯然 High NA EUV 技術更具效率，并可降低成本。
目前英特爾代工已與主要客戶就 Intel 14A 制程工藝展開合作，發送了 Intel 14A PDK（制程工藝設計工具包）的早期版本。這些客戶已經表示有意基于該節點制造測試芯片。相對于 Intel 18A 所采用的 PowerVia 背面供電技術，Intel 14A 将采用 PowerDirect 直接觸點供電技術。英特爾也計劃與合作夥伴盡早提供配套的 IP 和 EDA 工具。
根據英特爾的規劃，Intel 14A 将會在 2027 年量產，量產時間可能會領先于台積電 A14 制程（量產時間預計為 2028 年底）一年。
需要指出的是，由于英特爾已經在 Intel 18A 制程的研發過程當中進行了大量的 High NA 技術的經驗積累，這也使得 Intel 14A 在使用，Intel 14A 使用 High NA EUV 生產良率和生產效率上有望居于優勢地位。相比之下台積電的 A14 制程仍将會采用 Low NA EUV 技術，并且下一代的 A14 演進版本才會引入新的背面供電技術和 High NA EUV 技術進行制造。
編輯：芯智訊 - 浪客劍
