今天小編分享的科技經驗：中國半導體設備，再進一步，歡迎閱讀。
文 | 半導體產業縱橫
近日，Semicon 在上海盛大舉行，為期三天的展會精彩紛呈。展會期間，共舉辦 20 多場會議，展覽面積達 9 萬平方米，吸引了全球半導體行業領袖齊聚一堂，前沿技術更是琳琅滿目。
走進 Semicon，最直觀的感受便是國產半導體設備商展台前的火爆場景，人潮湧動，熱度持續攀升。與往屆相比，本屆展會呈現出顯著的不同，中國半導體設備的力量正積聚。
三大亮點
從本屆的 Semicon 來看，能夠看到三大新亮點：
第一新，新品發布呈現井噴之勢。
北方華創發布首款離子注入機 Sirius MC 313，拓展半導體制造裝備版圖。同時，北方華創還發布了首款 12 英寸電鍍設備（ECP）—— Ausip T830。這款設備專為矽通孔（TSV）銅填充設計，主要應用于 2.5D/3D 先進封裝領網域。
據作者了解，北方華創的 Ausip T830 設備突破三十多項關鍵技術。電鍍作為物理氣相沉積（PVD）的後道工藝，其設備與 PVD 設備協同工作，廣泛應用于邏輯、存儲、功率器件、先進封裝等芯片制造工藝。在工藝流程中，PVD 設備首先在槽 / 孔内形成籽晶層，随後電鍍設備将槽 / 孔填充至無空隙。随着先進封裝和三維集成技術的快速發展，電鍍設備的全球市場規模已達每年 80-90 億元人民币，且仍在加速擴張，預計未來幾年将突破百億大關。
中微公司發布首款晶圓邊緣刻蝕設備 Primo Halona，采用中微公司特色的雙反應台設計，可靈活配置最多三個雙反應台的反應腔，且每個反應腔均能同時加工兩片晶圓，在保證較低生產成本的同時，滿足晶圓邊緣刻蝕的量產需求，從而實現更高的產出密度，提升生產效率。
去年中微在研項目涵蓋六大類設備，推進超過二十款新型設備的研發工作，并在半導體薄膜沉積設備領網域不斷突破，推出了多款 LPCVD 薄膜設備和 ALD 薄膜設備新產品，獲得了重復性訂單。據了解，中微公司新開發的矽和鍺矽外延 EPI 設備等多款新產品，也會在近期投入市場驗證。
拓荊科技發布 ALD 系列、3D-IC 及先進封裝系列，CVD 系列新品。據了解，拓荊科技在國内實現了 ALD 設備裝機量第一，ALD 薄膜工藝覆蓋率第一。拓荊科技已從前道薄膜設備走向 3D-IC 設備，2024 年反應腔出貨量超過 1000 台。
東方晶源發布最新一代 DR-SEM r655 產品将搭載全新的高性能電子槍和光學檢測模組。r655 通過平台級更新，全面優化晶圓吞吐效率，產能對标國際水平。
第二新，半導體設備廠商積極跨界，勇闖新領網域。
北方華創新發布的離子注入機，标志着北方華創正式進軍離子注入設備市場。
國際半導體產業協會（SEMI）數據，2024 年全球離子注入設備市場規模達 276 億元，至 2030 年有望攀升至 307 億元。離子注入是半導體器件和集成電路生產的核心工藝之一，與光刻機、刻蝕機和鍍膜機（沉積設備）并稱為芯片制造的 " 四大核心裝備 "。
從全球整體市場格局上看，全球離子注入機設備主要以應用材料（AMAT）、亞舍立（Acelis）、日本 Nissin 及 SEN 等國外廠商為主導。目前，國内主要廠商為，凱世通和中科信兩家，在某些 12 寸晶圓產線上獲得工藝驗證驗證并驗收通過。
據透露，北方華創将以實現離子注入設備全品類布局為目标，撬動國内 160 億元的市場空間。
氧化矽、氮化矽和多晶矽晶圓在雙反應台上刻蝕速度的差别
中微公司昨日也宣布在等離子體刻蝕技術領網域再次實現重大突破。通過不斷提升反應台之間氣體控制的精度，ICP 雙反應台刻蝕機 Primo Twin-Star 反應台之間的刻蝕精度已達到 0.2A（亞埃級）。
這一刻蝕精度在氧化矽、氮化矽和多晶矽等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗證。該精度約等于矽原子直徑 2.5 埃的十分之一，是人類頭發絲平均直徑 100 微米的 500 萬分之一。
據介紹，中微在 200 片矽片的重復性測試中，氧化矽、氮化矽和多晶矽的測試晶圓，在左右兩個反應台上各 100 片的平均刻蝕速度相差，各為每分鍾 0.9 埃，1.5 埃和 1.0 埃。兩個反應台之間平均刻蝕速度的差别（≤ 0.09%），遠小于一個反應台加工多片晶圓刻蝕速度的差别（≤ 0.9%）。
中微公司透露，CCP 的雙台機 Primo D-RIE 和 Primo AD-RIE 的加工精度，兩個反應台的刻蝕重復性和在生產線上的重復性也早已達到和 Primo Twin-Star 相同的水平。
第三新，新勢力強勢 " 殺入 " 半導體設備領網域。
新凱來首次公開亮相。從薄膜沉積設備到光學檢測系統，新凱來的展台幾乎覆蓋了芯片制造的關鍵環節，包括 PVD（普陀山）、CVD（長白山）、ALD（阿裡山）等薄膜設備，ETCH（武夷山）刻蝕裝備，以及嶽麗山 BFI 光學檢測系統等產品。這一動作标志着這家成立僅數年的半導體設備企業正式加入競争行列。
三大亮點的背後，是國内半導體設備行業前進的縮影。近年來，北方華創、中微公司、盛美半導體等國内設備企業在刻蝕、薄膜沉積等細分領網域取得突破。
在 CINNO IC Research 統計數據中，2024 年全球半導體設備商半導體營收業務 Top10 營收合計超 1,100 億美元，同比增長約 10%。其中北方華創作為 Top10 中唯一的中國半導體設備廠商，2023 年首次進入全球 Top10，2024 年排名由第八上升至第六。
中微公司在今年 3 月宣布，等離子體刻蝕設備反應總台數全球累計出貨超過 5000 台，包括 CCP 高能等離子體刻蝕機和 ICP 低能等離子體刻蝕機、單反應台反應器和雙反應台反應器共四種構型的設備。
而作為清洗和電鍍設備的龍頭企業，盛美上海的清洗設備已覆蓋了 95% 工藝步驟應用，電鍍設備實現技術全覆蓋。另外，2024 年 10 月，盛美上海的設備研發與制造中心落成并正式投產。該項目共有 5 個單體，包含兩座研發樓、兩座廠房和一座輔助廠房。兩座廠房 A 和 B，僅廠房 A 的年產可實現 300-400 台，廠房 B 裝修建設有望在 2025 年落地。
大基金，方向轉變
從全球半導體市場的趨勢來看，2023 年半導體產業适逢下行周期，銷售額下滑約 11%。半導體周期興衰周而復始，技術迭代是推動半導體產業發展的引擎，2024 年迎來了 " 繁花似錦乘勢上，創新高地前路遙 " 的市場機遇及發展契機。
SEMI 全球副總裁、中國區總裁居龍觀察到，自 2025 開年以來，全球面臨百年未有之大變局，有三點大趨勢：第一，國際地緣政治巨變。第二，全球經貿格局秩序颠覆。第三，AI 人工智能革命改變萬物。這些趨勢增加了不确定性，也加速了半導體供應鏈的區網域化重組、體系重構，并且 AI 相關領網域的發展也将成為推動半導體行業邁向萬億美元裡程碑的新引擎。
今年，大基金二期 5 次出手，其中三家都瞄準了半導體檢測設備領網域。
今年 1 月 7 日，中安半導體發生工商變更，新增大基金二期等為公司股東。中安半導體成立于 2020 年，是一家半導體檢測設備研發商；經過幾年的發展，公司已擁有先進量檢測領網域的國際專利，并在國内逐步建立了具有國際先進水平的量檢測設備的專利群，以及集精密光機電、深紫外、高速相機等先進技術為一體的自主可控供應鏈。
3 月中旬，昂坤視覺發生工商變更，新增大基金二期為股東。作為國内少數掌握高精度晶圓檢測技術的企業，昂坤視覺的光學測量設備可應用于 SiC 襯底缺陷檢測、GaN 外延片均勻性分析等關鍵環節，其自主研發的 AI 算法将檢測效率提升 30% 以上。在大基金二期投資前，昂坤視覺已獲中微公司、匯川技術、晶盛機電等 A 股公司參股。
近日，上海精測半導體技術有限公司發生工商變更，新增國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司。上海精測成立于 2018 年 7 月，主要從事以半導體量檢測設備為主的研發、生產和銷售，同時也開發一部分顯示和新能源領網域的檢測設備。大基金（即：大基金一期）亦早在 2019 年時便戰略入股上海精測，參與其總額為 5.5 億元的 A 輪融資。這也意味着，上海精測成為兩期大基金加碼的半導體企業。
大基金二期的不斷落子，讓更多人關注半導體設備企業。
在 2024 年，大基金一期與大基金二期對外投資動作頻頻，投資了約 13 家半導體企業，涉及 EDA、半導體材料與設備、芯片制造等半導體產業鏈多個環節。其中，大基金二期成為投資主力軍。
結語
今日，清華大學教授魏少軍、中國集成電路創新聯盟秘書長葉甜春都分享了其對于半導體產業的看法。
魏少軍表示，首先，我們需要堅定信心，保持發展定力。從產業層面看，真正能夠替代矽基半導體的技術還沒有出現，雖然摩爾定律在逐漸放慢，讓一些人比較悲觀，但矽基半導體的發展還有巨大潛力。
其次，國内半導體產業需要集中精力、聚焦發展，半導體是一個需要腳踏實地、長期堅持的行業。現在刷屏的明星企業們，都是在領網域中堅持耕耘數年的。
最後，要大膽創新、勇于擔當。國内企業要通過不斷的創新突破，擁有差異化的產品，在競争中才能夠先人一步。
葉甜春表示，兩年前提出了 " 再全球化 "，我們要堅信全球化有自己的前景。在新的形勢下，和全球夥伴一起重新打造一個全球化的體系，以中國市場為中心、中國產業體系基石。無論是中、歐、美市場，技術的創新要滿足產品的需求。他表示，再往前發展，一定要考慮未來的創新發展。
中國半導體設備，已然邁出堅實步伐，而前方征途，在產業界同仁的不懈努力下，讓中國力量在全球半導體產業版圖中镌刻下更為深刻的印記 。
