今天小編分享的科技經驗:另辟蹊徑的佳能,會“擊敗”ASML嗎?,歡迎閱讀。
導語:佳能押注于更簡單廉價的技術,試圖打破 ASML 的壟斷,但這場光刻技術的競賽是場以十年計的馬拉松。
>ASML
鳳凰網科技訊 3 月 16 日,經濟學人發文,ASML 的光刻技術正使其成為全球科技博弈的核心。日本競争對手佳能押注于更簡單廉價的技術,試圖打破 ASML 的壟斷。但與軟體行業領導地位可能數月易主不同,光刻技術的競賽是場以十年計的馬拉松。要超越 ASML 絕非易事。這場博弈的焦點,是對将塑造未來計算、AI 乃至整個科技走向的核心設備的掌控權。
ASML 的尖端設備堪稱工程奇迹。其工作原理是向真空室噴射 5 萬滴熔融錫珠。每滴錫珠需經歷兩次激光衝擊:第一次弱激光脈衝将其壓扁為微型薄餅,第二次強激光将其汽化。這一過程使錫滴轉化為高溫等離子體,溫度高達 22 萬攝氏度(約為太陽表面溫度的 40 倍),并發射極短波長的極紫外光(EUV)。随後,這種光線經多層超平滑鏡面反射,聚焦于載有芯片電路藍圖的掩膜版,最終将設計圖案蝕刻到塗有感光化學物質的矽晶圓上。
ASML 的設備對現代芯片制造不可或缺。台積電、三星和英特爾等巨頭依賴其生產從 AI 加速器到智能手機芯片的尖端處理器。目前沒有其他公司能可靠制造用于 7 納米及更先進制程的光刻機。即便在成熟工藝(14 納米及以上)領網域,該公司設備市占率也超過 90%。
雖然 ASML 未披露具體數字,但其最新 EUV 機型價格幾乎是前代兩倍。Hyper-NA 系統将更昂貴。盡管公司強調尚無量產保證,技術總監 Jos Benschop 認為若需求存在,Hyper-NA 設備可能在 5-10 年内面世。
曾經的行業霸主佳能另辟蹊徑,押注納米壓印(NIL)技術。該工藝如同印刷機将電路模板直接壓印至晶圓,理論上能以納米級精度、低成本和小體積挑戰 EUV。其流程包括電子束刻制母版、液态樹脂滴注、紫外光固化等步驟。佳能稱其設備成本比 EUV 低 40%,但面臨缺陷控制(模板微粒會導致整片晶圓缺陷)、層間對準精度(需納米級對齊)、生產效率(目前每小時 110 片,僅為 EUV 的 60%)等挑戰。
目前 NIL 在存儲芯片和手機螢幕等領網域取得了突破。佳能光學部門負責人岩本和紀認為,NIL 可與 EUV 互補,在非精密環節降低成本。随着技術進步,這種颠覆性工藝或催生更快、更節能的 AI 芯片。
(文章為作者獨立觀點,不代表艾瑞網立場)