今天小編分享的科技經驗：完全自主產權 中國第四代半導體新突破！6英寸氧化镓單晶實現產業化，歡迎閱讀。
快科技 3 月 21 日消息，近日，杭州镓仁半導體有限公司宣布，公司聯合浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院、矽及先進半導體材料全國重點實驗室。
采用自主開創的鑄造法，成功制備了高質量 6 英寸非故意摻雜及導電型氧化镓單晶，并加工獲得了 6 英寸氧化镓襯底片。
6 英寸導電型氧化镓襯底
杭州镓仁半導體，也成為國内首個掌握 6 英寸氧化镓單晶襯底制備技術的產業化公司。
據介紹，氧化镓因其優異的性能和低成本的制造，成為目前最受關注的超寬禁帶半導體材料之一，被稱為第四代半導體材料。
該材料主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件，在軌道交通、智能電網、新能源汽車、光伏發電、5G 移動通信、國防軍工等領網域，均具有廣闊應用前景。
6 英寸非故意摻雜（上）與導電型（下）氧化镓單晶
該公司表示，此次制備 6 英寸氧化镓襯底采用的鑄造法，具有以下顯著優勢：
第一，鑄造法成本低，由于貴金屬 Ir 的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；
第二，鑄造法簡單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大；
第三，鑄造法擁有完全自主知識產權，中國和美國專利已授權，為突破國外技術壟斷，實現國產化替代奠定堅實基礎。
目前而言，日本的 NCT 在氧化镓襯底方面，仍占據着領先地位，但國内也總體呈現追趕态勢。
