台積電：2030年量產1nm、可封裝1萬億個晶體管

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IEDM 2022 國際電子元件會議上，台積電公布了一份野心勃勃的半導體制造工藝、封裝技術路線圖，已經規劃到了 2030 年。

眼下，台積電正在推進 3nm 級别的 N3 系列工藝，下一步就是在 2025-2027 年間鋪開 2nm 級别的 N2 系列，包括 N2、N2P 等，将在單顆芯片内集成超過 1000 億個晶體管，單個封裝内則能做到超過 5000 億個。

為此，台積電将使用 EUV 極紫外光刻、新通道材料、金屬氧化物 ESL、自對齊線彈性空間、低損傷低硬化低 K 銅材料填充等等一系列新材料、新技術，并結合 CoWoS、InFO、SoIC 等一系列封裝技術。

再往後就是 1.4nm 級别的 A14、1nm 級别的 A10 ——命名和 Intel A20、A18 如出一轍，但看起來更 " 先進 "。

1nm A10 工藝節點上，台積電計劃在單顆芯片内集成超過 2000 億個晶體管，單個封裝内則超過 1 萬億個，相比 N2 工藝翻一倍。

有趣的是，Intel 也計劃在 2030 年做到單個封裝 1 萬億個晶體管，可謂針鋒相對。

目前最復雜的單芯片是 NVIDIA GH100，晶體管達 800 億個。

多芯片封裝方面處于領先地位的是各種 GPU 計算芯片，Intel Ponte Vecchio GPU Max 超過 1000 億個晶體管，AMD Instinct MI300A、MI300X 分别有 1460 億個、1530 億個晶體管。