今天小編分享的科技經驗:英特爾展示多項突破:減成法钌互連技術最高可将線間電容降低 25%,歡迎閱讀。
IT 之家 12 月 8 日消息,據英特爾官方消息,在 IEDM 2024(2024 年 IEEE 國際電子器件會議)上,英特爾代工展示了多項技術突破。
▲ 圖源英特爾
在新材料方面,減成法钌互連技術(subtractive Ruthenium)最高可将線間電容降低 25%,有助于改善芯片内互連。
英特爾代工還率先匯報了一種用于先進封裝的異構集成解決方案選擇性層轉移(Selective Layer Transfer,SLT),能夠将吞吐量提升高達 100 倍,實現超快速的芯片間封裝(chip-to-chip assembly)。
為了進一步推動全環繞栅極(GAA)的微縮,英特爾代工展示了矽基 RibbionFET CMOS (互補金屬氧化物半導體)技術,以及用于微縮的 2D 場效應晶體管(2D FETs)的栅氧化層(gate oxide)模塊,以提高設備性能。
IT 之家獲悉,在 IEDM 2024 上,英特爾代工還分享了對先進封裝和晶體管微縮技術未來發展的願景,以滿足包括 AI 在内的各類應用需求,英特爾稱以下三個關鍵點将有助于 AI 在未來十年朝着能效更高的方向發展:
先進内存集成(memory integration),以消除容量、帶寬和延遲的瓶頸
用于優化互連帶寬的混合鍵合
模塊化系統(modular system)及相應的連接解決方案